[发明专利]光学临近效应修正方法有效
| 申请号： | 201310229404.3 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103309149A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈翰;魏芳;张旭升;储志浩 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
1.一种光学临近效应修正方法，包括步骤：
提供原始设计图形数据；
将所述原始设计图形数据分为第一类尺寸图形和第二类尺寸图形，所述第一类尺寸图形的尺寸大于所述第二类尺寸图形的尺寸；
使用第一方法对所述第一类尺寸图形进行OPC建模处理，得到第一类尺寸图形OPC模型；
使用第二方法对所述第二类尺寸图形进行OPC建模处理，得到第二类尺寸图形OPC模型；
将所述第一类尺寸图形OPC模型和第二类尺寸图形OPC模型进行整合，得到混合仿真OPC模型。
2.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述第一方法为使用内核简单矩阵对所述第一类尺寸图形进行OPC建模处理。
3.如权利要求2所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述内核简单矩阵的个数小于等于10个。
4.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述第二方法为使用内核复杂矩阵对所述第二类尺寸图形进行OPC建模处理。
5.如权利要求4所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述内核复杂矩阵的个数大于等于15个。
6.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述第一类尺寸图形的尺寸大于等于300nm。
7.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述第二类尺寸图形的尺寸小于300nm。
8.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，在将所述第一类尺寸图形OPC模型和第二类尺寸图形OPC模型进行整合，得到混合仿真OPC模型之后，对原始设计图形数据进行基于混合仿真模型的OPC修正处理。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
