[发明专利]一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将铜盐、铟盐、镓盐和硒源化合物与油胺混合，合成铜铟镓硒纳米颗粒；

将所述铜铟镓硒纳米颗粒分散在有机溶剂中形成铜铟镓硒纳米晶墨水；

将所述铜铟镓硒纳米墨水在基体上涂膜，形成铜铟镓硒前驱体预制膜，经过退火处理后得到铜铟镓硒薄膜；

在硫源存在的条件下，将所述铜铟镓硒硫薄膜在450-550°C进行硫化处理，得到表面富硫的铜铟镓硒薄膜。

2.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述硫化处理过程中，铜铟镓硒薄膜中硫的百分含量为1-30%。

3.如权利要求1或2所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述硫化处理步骤中，硫元素在铜铟镓硒薄膜表面的渗透深度为10-100nm。

4.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述硫化处理步骤中，硫源为硫粉、硫化氢、二硫化碳、硫脲中的至少一种。

5.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述硫化处理步骤中，升温速率为10-40°C/min，加热时间为5-50min。

6.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述合成铜铟镓硒纳米颗粒的步骤中，所述铜铟镓硒纳米颗粒的合成温度为220-300°C。

7.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述合成铜铟镓硒纳米颗粒的步骤中，所述铜盐、铟盐、镓盐分别为含铜、铟、镓的氯化盐、醋酸盐、乙酰丙酮盐、氧化物中的至少一种，所述硒源化合物为硒单质、二乙基硒、硒化氢的至少一种。

8.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述合成铜铟镓硒纳米颗粒的步骤中，所述铟、镓元素百分含量比为：0<镓/(铟+镓)<50%。

9.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备铜铟镓硒纳米晶墨水的步骤中，所述有机溶剂为胺类、苯类或烷硫醇类化合物中的至少一种。

10.如权利要求1所述的表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备铜铟镓硒纳米晶墨水的步骤中，所述铜铟镓硒纳米晶墨水的浓度为5-300mg/mL。