[发明专利]有机发光二极管面板有效
| 申请号： | 201310230276.4 | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104241313B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郑荣安;简良能;王伟立 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 面板 | ||
1.一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙隔开，其特征在于：同一排的相邻二像素的二第一子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔，同一列的相邻二像素的二第一子像素相互靠近且通过挡墙间隔，第二子像素和第三子像素均通过挡墙与其他子像素间隔。
2.一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素通过挡墙隔开，其特征在于：每一第一子像素均与其他三个第一子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔，每一第二子像素均与其他三个第二子像素相互靠近且通过高度低于挡墙的隔板间隔。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：每一第三子像素通过挡墙与其他子像素间隔。
4.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：同一排的相邻二像素的二第三子像素相互靠近且通过隔板间隔，同一列的相邻二像素的二第三子像素相互靠近且通过挡墙间隔。
5.如权利要求2所述的有机发光二极管面板，其特征在于：相邻四像素的四第三子像素相互靠近且通过交叉的隔板间隔。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的有机发光二极管面板，其特征在于：每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素的排列方式与同一排的相邻像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素的排列方式对称。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的有机发光二极管面板，其特征在于：每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素的排列方式与同一列的相邻像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素的排列方式对称。
8.一种有机发光二极管面板，包括多个像素，每一像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，其特征在于：每一像素的第一子像素、第二子像素及第三子像素分别通过三挡墙隔开，三挡墙两两之间呈120度夹角；相邻三像素的三第一子像素相互靠近且分别通过高度低于挡墙的三隔板间隔，三隔板两两之间呈120度夹角。
9.如权利要求1至5以及8中任意一项所述的有机发光二极管面板，其特征在于：第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素，第三子像素为蓝色子像素。
10.如权利要求1至5以及8中任意一项所述的有机发光二极管面板，其特征在于：第一子像素、第二子像素及第三子像素为RGB排列、Pentile排列或者Stripe排列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
