[发明专利]短路保护结构

权利要求书

1. 短路保护结构，其特征在于：包括第一晶体管、第二晶体管、控制电路、第一晶体管电流采样电阻和第二晶体管电流采样电阻，其中控制电路控制第一晶体管和第二晶体管的开关时间长度及占空比，第二晶体管采样第一晶体管的电流，所述第一晶体管的漏端连接第二晶体管的漏端，所述第一晶体管的源端接一采样电阻，所述第二晶体管的源端接另一采样电阻，所述第一晶体管的栅端连接第二晶体管的栅端并与控制电路的驱动级连接，所述第一晶体管和第二晶体管均为高压晶体管，第二晶体管的尺寸小于第一晶体管尺寸。

2.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第二晶体管及第二晶体管电流采样电阻与控制电路相集成。

3.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管电流采样电阻与控制电路相独立。

4.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与控制电路相集成，第一晶体管为纵向高压晶体管或横向高压晶体管。

5.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与控制电路相集成，第一晶体管为纵向高压晶体管，第一晶体管与第二晶体管集成在同一硅片上，其结构相同以得到固定的K因子。

6.根据权利要求5所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与第二晶体管之间设有隔离结构。

7.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与控制电路相集成，第一晶体管为横向高压晶体管，第一晶体管与第二晶体管集成在同一硅片上，其结构相同以得到固定的K因子。

8.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与控制电路相独立，第一晶体管为纵向高压晶体管或横向高压晶体管。

9.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与控制电路相独立，第一晶体管为纵向高压晶体管，第二晶体管为横向耐压结构。

10.根据权利要求1所述的短路保护结构，其特征在于：所述第一晶体管与控制电路相独立，第一晶体管为横向高压晶体管，第二晶体管为横向耐压结构。