[发明专利]一种高导热基板及其制备方法

权利要求书

1.一种高导热基板，包括铝基材，其特征在于：铝基材表面上设有连接层、连接层表面上设有合金缓冲层、合金缓冲层表面上设有绝缘层、绝缘层表面上设有导电层；其中，导电层由一级导电层和覆盖在一级导电层表面上的二级导电层组合而成。

2.根据权利要求1所述的一种高导热基板，其特征在于：所述的连接层为铝，厚度为10-50μm。

3.根据权利要求1所述的一种高导热基板，其特征在于：所述的合金缓冲层的厚度为50-200μm，所述的缓冲层金属为Cu与Mo、W、Ti中的至少一种形成的合金，所述的合金缓冲层的热膨胀系数为5×10^-6/℃至18×10^-6/℃。

4.根据权利要求1所述的一种高导热基板，其特征在于：所述的绝缘层的厚度为10-100μm。

5.根据权利要求1所述的一种高导热基板，其特征在于：所述的一级导电层的厚度为300-850?，二级导电层的厚度为0.05-1mm；所述的一级导电层金属为Ag、Cu、Au、Al、Ni、Fe中的一种或至少两种形成的合金，所述的二级导电层金属为Ag、Cu、Au中的一种或至少两种形成的合金。

6.权利要求1所述的一种高导热基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）通过物理气相沉积或热浸镀在合金缓冲层一面形成一层铝以形成铝基板和缓冲层的连接层，再通过扩散焊的方式，将合金缓冲层与铝基板连接起来；

2）通过物理气相沉积或热浸镀，在缓冲层另一面上覆盖一层铝；

3）采用阳极氧化法或微弧氧化，将上步中的铝层转化成氧化铝绝缘层；

4）采用物理气相沉积，在绝缘层表面形成一级导电层；

5）采用电化学沉积法，在一级导电层表面形成二级导电层。

7.根据权利要求6所述的一种高导热基板的制备方法，其特征在于：阳极氧化法所用的阳极氧化液为硫酸-草酸体系，硫酸的浓度为0.16-0.2mol/L，草酸的浓度为0.16-0.2mol/L，阳极氧化液中还含有0.1-0.15wt%的稀土盐，所述的稀土盐为硝酸钇、硫酸铈、硫酸镧中的至少一种；阳极氧化法中，电压为100V，石墨为阴极，氧化时间为3-4h。

8.根据权利要求6所述的一种高导热基板的制备方法，其特征在于：微弧氧化的电解液的成份为：3-5g/L的NaOH、5-8g/L的Na₂SiO₃、4-5g/L的（NaPO₃）₆、1.5-2g/L的EDTA；微弧氧化的工艺条件为：正向电压520V，负向电压160V，脉冲频率100Hz，氧化时间90min，电解液的温度为30-45℃。