[发明专利]多波长激光器阵列芯片的制作方法

权利要求书

1.一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括如下制作步骤： 

步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层； 

步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区； 

步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对； 

步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层； 

步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅； 

步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层； 

步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度； 

步骤8：在有源波导波导上制作P电极； 

步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。 

2.一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括如下制作步骤： 

步骤1：在衬底上生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层； 

步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区； 

步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对； 

步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层； 

步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅； 

步骤6：在无源光合波器区的上分别限制层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度小于下分别限制层和上分别限制层的总厚度或大于下分别限制 层和上分别限制层的总厚度，形成基片； 

步骤7：在基片上外延包层和接触层； 

步骤8：在有源区的接触层上刻蚀有源波导； 

步骤9：在有源波导上制作P电极； 

步骤10：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。 

3.根据权利要求1或2所述的多波长激光器阵列芯片的制作方法，其中所述介质掩膜对图形以阵列单元间距为周期成对出现，对应于不同阵列单元的介质掩膜对的间距或掩膜宽度渐变。 

4.根据权利要求1或2所述的多波长激光器阵列芯片的制作方法，其中所述所述无源光合波器区的合波器为多模干涉合波器或阵列波导光栅合波器。 

5.根据权利要求1或2所述的多波长激光器阵列芯片的制作方法，其中所述有源区包括的激光器个数大于等于2。 

6.根据权利要求1或2所述的多波长激光器阵列芯片的制作方法，其中所述衬底的材料为GaAs、InP、GaN、SiC或Si。 

7.根据权利要求1或2所述的多波长激光器阵列芯片的制作方法，其中所述的掩膜对在器件的长度方向全部覆盖有源区或部分覆盖有源区。 

8.根据权利要求1或2所述的多波长激光器阵列芯片的制作方法，其中所述的光栅制作于有源区全部区域或部分有源区区域。