[发明专利]一种基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路有效

专利信息
申请号: 201310231004.6 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN103324237A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 谭洪舟;曾衍瀚;张俊;曾淼旺;许远坤 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G05F1/569 分类号: G05F1/569
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电压 感应 ldo 瞬态 响应 增强 电路
【权利要求书】:

1.一种基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,包括电容Co,其特征在于,还包括调整管Mp、误差放大器EA、电阻R1~R6和摆率增强电路;所述摆率增强电路的输出端接调整管Mp的栅极,摆率增强电路的输入端为VHD,GND,Vref,Vf1和Vf2,调整管Mp的栅极接误差放大器EA的输出端;

调整管Mp的漏极通过输出电容Co接地;调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R2与R1接地;调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R4与R3接地;调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R6与R5接地;电阻R1与R2间的引出端Vf与误差放大器EA的正输入端连接,误差放大器EA的负输入端接基准电压源Vref;电阻R3与R4间的引出端Vf1和电阻R5与R6间的引出端Vf2与摆率增强电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述摆率增强电路包括第一比较器OA1、第二比较器OA2、NMOS管MSK1和PMOS管MSR1,所述电阻R3与R4间的引出端Vf1接第一比较器OA1的负输入端连接,第一比较器OA1的输出端接NMOS管MSK1的栅极,所述电阻R5与R6间的引出端Vf2与第二比较器OA2的负输入端连接,第二比较器OA2的输出端接PMOS管MSR1的栅极,所述NMOS管MSK1和PMOS管MSR1构成推挽输出电路,NMOS管MSK1的源极接地,NMOS管MSK1的漏极接调整管Mp的栅极,PMOS管MSR1的源极接调整管的源极。

3.根据权利要求1所述的基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述调整管Mp为PMOS管。

4.根据权利要求1所述的基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述

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