[发明专利]一种基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路有效
申请号: | 201310231004.6 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103324237A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 谭洪舟;曾衍瀚;张俊;曾淼旺;许远坤 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G05F1/569 | 分类号: | G05F1/569 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电压 感应 ldo 瞬态 响应 增强 电路 | ||
1.一种基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,包括电容Co,其特征在于,还包括调整管Mp、误差放大器EA、电阻R1~R6和摆率增强电路;所述摆率增强电路的输出端接调整管Mp的栅极,摆率增强电路的输入端为VHD,GND,Vref,Vf1和Vf2,调整管Mp的栅极接误差放大器EA的输出端;
调整管Mp的漏极通过输出电容Co接地;调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R2与R1接地;调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R4与R3接地;调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R6与R5接地;电阻R1与R2间的引出端Vf与误差放大器EA的正输入端连接,误差放大器EA的负输入端接基准电压源Vref;电阻R3与R4间的引出端Vf1和电阻R5与R6间的引出端Vf2与摆率增强电路的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述摆率增强电路包括第一比较器OA1、第二比较器OA2、NMOS管MSK1和PMOS管MSR1,所述电阻R3与R4间的引出端Vf1接第一比较器OA1的负输入端连接,第一比较器OA1的输出端接NMOS管MSK1的栅极,所述电阻R5与R6间的引出端Vf2与第二比较器OA2的负输入端连接,第二比较器OA2的输出端接PMOS管MSR1的栅极,所述NMOS管MSK1和PMOS管MSR1构成推挽输出电路,NMOS管MSK1的源极接地,NMOS管MSK1的漏极接调整管Mp的栅极,PMOS管MSR1的源极接调整管的源极。
3.根据权利要求1所述的基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述调整管Mp为PMOS管。
4.根据权利要求1所述的基于电压感应的LDO瞬态响应增强电路,其特征在于,所述
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