[发明专利]存储器件及存储设备有效
| 申请号： | 201310231154.7 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103514948B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚実 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 设备 | ||
1.一种存储器件，其包括：
第一电极；
存储层，其包括离子源层；以及
第二电极，
所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置，
其中，所述离子源层不含铝及铜，包含可移动元素，并具有150mΩ·cm～12000mΩ·cm的体积电阻率。
2.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述离子源层具有450mΩ·cm～3000mΩ·cm的体积电阻率。
3.如权利要求1或2所述的存储器件，其中，所述可移动元素通过电场的施加而被正电离或负电离。
4.如权利要求3所述的存储器件，其中，所述离子源层包含从元素周期表的第3族元素、第4族元素及第5族元素中选出的一种以上元素以作为被正电离的所述可移动元素。
5.如权利要求4所述的存储器件，其中，所述被正电离的可移动元素为钛、锆及铪之一。
6.如权利要求3所述的存储器件，其中，所述离子源层包含从元素周期表的第16族元素中选出的一种以上元素以作为被负电离的所述可移动元素。
7.如权利要求6所述的存储器件，其中，所述被负电离的可移动元素为硫、硒及碲之一。
8.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储层包括电阻变化层，所述电阻变化层被设置成更靠近所述第一电极而远离所述第二电极。
9.如权利要求8所述的存储器件，其中，所述电阻变化层由金属氧化物膜、金属氮化物膜及金属氧氮化物膜之一构成。
10.如权利要求8或9所述的存储器件，所述电阻变化层的电阻值随着低电阻部的形成而变化，当对所述第一电极及所述第二电极施加电压时，所述低电阻部通过包含所述可移动元素或氧缺陷而形成于所述电阻变化层中。
11.一种存储设备，其设置有多个如权利要求1～10中的任一项所述的存储器件以及脉冲施加器，所述脉冲施加器对所述存储器件选择性地施加电压脉冲与电流脉冲之一。
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