[发明专利]一种基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路

权利要求书

1.一种基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，包括负载和调整管Mp，其特征在于，还包括电阻R1、电阻R2、放大器EA和基于电流感应的摆率增强电路；其中所述基于电流感应的摆率增强电路包括比较器OA3、比较器OA4、放大器OA6、NMOS管MSKD2、MSK2、PMOS管MSR2、感应电阻Resr1-Resr2、电容Co、Mp电流感应电路和输出电流感应电路；

所述调整管Mp的漏极通过串联连接的感应电阻Resr1、Resr2和电容Co接地，还通过串联连接的电阻R2、R1接地，并通过输出电流感应电路与负载连接，负载的另一端接地；调整管Mp的栅极通过Mp电流感应电路与放大器OA6的正输入端连接；

感应电阻Resr1、Resr2间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的负输入端，感应电阻Resr2与电容Co间的引出端分别接比较器OA3、比较器OA4的正输入端，比较器OA3的输出端接MSR2的栅极，比较器OA4的输出端接MSK2的栅极，输出电流感应电路的输出端接放大器OA6的负输入端，放大器OA6的输出端接MSKD2的栅极，MSKD2、MSK2的源极接地，MSKD2的漏极接MSK2的栅极，MSK2的漏极分别与MSR2的漏极和调整管Mp的栅极连接，MSR2的源极与VHD连接；电阻R2、R1间的引出端接放大器EA的正输入端连接，放大器EA的负输入端接基准电压源Vref，放大器EA的输出端与调整管Mp的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，其特征在于，所述调整管Mp为P型MOS管。

3.根据权利要求2所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，其特征在于，所述Mp电流感应电路包括MOS管M1、MOS管M2和电阻R9，所述MOS管M1的栅极接调整管Mp的栅极，MOS管M1的源极接调整管Mp的源极，MOS管M1的漏极接MOS管M2的源极，MOS管M2的栅漏极连接，并通过电阻R9接地，同时与放大器OA6的正输入端连接。

4.根据权利要求3所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，其特征在于，所述MOS管M1、MOS管M2为P型MOS管。

5.根据权利要求4所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，其特征在于，所述MOS管M1的宽长比是Mp的宽长比的

6.根据权利要求5所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，其特征在于，所述输出电流感应电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R7、电阻R8、电阻Rs和运放OA7，所述调整管Mp的漏极通过串联连接的电阻R4、R3接地，调整管Mp的漏极还通过串联连接的电阻Rs、R8与R7接地，电阻R4与电阻R3的引出端接运放OA7的正输入端，电阻R8与电阻R7的引出端接运放OA7的负输入端，运放OA7的输出端接放大器OA6的负输入端。

7.根据权利要求6所述的基于电流感应的LDO瞬态响应增强电路，其特征在于，所述电阻R4=R8，R3=R7，R_S<<R₈。