[发明专利]一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法无效
申请号: | 201310231920.X | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN103346224A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 罗绍军;艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请(专利权)人: | 武汉迪源光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gan led pgan 结构 及其 外延 生长 方法 | ||
1.一种GaN基LED的PGaN结构,其特征在于,所述GaN基LED的PGaN结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、第一非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、P型AluInnGa1-u-nN层、第二非故意掺杂u-GaN层、P型GaN层、接触层,其中,所述第二非故意掺杂u-GaN层为在生长温度大于或等于1100摄氏度并且小于或等于1250摄氏度范围内生长出来的非故意掺杂u-GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED的PGaN结构,其特征在于,所述第二非故意掺杂u-GaN层的厚度大于或等于10纳米并且小于或等于200纳米。
3.根据权利要求2所述的GaN基LED的PGaN结构,其特征在于,所述第二非故意掺杂u-GaN层的厚度为30纳米。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED的PGaN结构,其特征在于,所述第一非故意掺杂u-GaN层的厚度为大于或等于0.5微米并且小于或等于5微米。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED的PGaN结构,其特征在于,所述P型AluInnGa1-u-nN层为Mg掺杂P型AluInnGa1-u-nN层。
6.一种GaN基LED的PGaN结构的外延生长方法,用于权利要求1所述的GaN基LED的PGaN结构,其特征在于,包括:
步骤一,在蓝宝石衬底上依次生长GaN成核层、第一非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区多量子阱层、量子阱保护层、P型AluInnGa1-u-nN层,所述第一非故意掺杂u-GaN层的生长温度大于1100摄氏度;
步骤二,在所述P型AluInnGa1-u-nN层之上生长第二非故意掺杂u-GaN层,所述第二非故意掺杂u-GaN层的生长温度大于或等于1100摄氏度并且小于或等于1250摄氏度;
步骤三,在所述第二非故意掺杂u-GaN层之上再依次生长P型GaN层和接触层。
7.根据权利要求6所述的GaN基LED的PGaN结构的外延生长方法,其特征在于,所述步骤二中,所述第二非故意掺杂u-GaN层的生长温度为1130摄氏度。
8.根据权利要求6所述的GaN基LED的PGaN结构的外延生长方法,其特征在于,所述步骤二中,所述第二非故意掺杂u-GaN层的生长厚度大于或等于10纳米并且小于或等于200纳米。
9.根据权利要求8所述的GaN基LED的PGaN结构的外延生长方法,其特征在于,所述步骤二中,所述第二非故意掺杂u-GaN层的生长厚度为30纳米。
10.根据权利要求6所述的GaN基LED的PGaN结构的外延生长方法,其特征在于,所述步骤一中,所述第一非故意掺杂u-GaN层的生长厚度为大于或等于0.5微米并且小于或等于5微米。
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