[发明专利]一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法有效
| 申请号： | 201310232060.1 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103337461A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 薛舫时 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 氮化物 渐变 谐振 欧姆 接触 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法，包括工艺步骤：1）在衬底（1）上依次生长AlGaN/GaN异质结构（2），AlGaN渐变能隙层（3）和重掺杂GaN帽层（4），构成渐变能隙谐振隧穿欧姆接触异质结构，其特征是：
2）针对选定的AlGaN/GaN异质结构（2），设计GaN帽层（4）的厚度和掺杂浓度来降低金属－半导体接触势垒；增大从金属到半导体的隧穿电流；
3）在器件工作要求的AlGaN/GaN异质结构（2）上覆盖AlGaN渐变能隙层（3）和重掺杂GaN帽层（4），利用这两层覆盖层来压低异质结沟道阱的阱位，提高沟道阱中的二维电子气密度，尽量增大金属电极上低能电子隧穿到沟道阱的几率，提高隧穿电流；
4）计算介于重掺杂GaN帽层（4）和AlGaN/GaN异质结构（2）之间的AlGaN渐变能隙层（3）的能带，调节渐变能隙层的宽度、掺杂浓度和能带渐变梯度，剪裁能带，形成一个中间阱；调节中间阱的宽度、深度和电子的量子限制特性，使量子限制能级接近于AlGaN/GaN异质结构（2）沟道阱中的基态能级，产生由中间阱到沟道阱的谐振隧穿，提高进入沟道阱的隧穿电流，降低欧姆接触电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310232060.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电控自动锁
- 下一篇：双界面智能SD卡用转接卡
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
