[发明专利]条形结构的形成方法

权利要求书

1.一种条形结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板表面形成待刻蚀薄膜；

在所述待刻蚀薄膜表面形成具有第一条形的硬掩膜图案；

在所述待刻蚀薄膜和第一条形的硬掩膜图案表面形成具有条形开口的第二光刻胶图形，所述条形开口的长边方向与第一条形的硬掩膜图案的长边方向垂直，且所述条形开口暴露出部分第一条形的硬掩膜图案；

在所述第二光刻胶图形顶部和侧壁表面形成聚合物层，使得第二光刻胶图形的条形开口的宽度变窄；

以表面具有聚合物层的第二光刻胶图形为掩膜，对第一条形的硬掩膜图案进行刻蚀，使得所述第一条形的硬掩膜图案被断开，形成若干位于同一直线的具有第二条形的硬掩膜图案；

以所述第二条形的掩膜层图案为掩膜，刻蚀待刻蚀薄膜直至暴露出所述基板，形成条形结构。

2.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，在形成所述聚合物层之前，还包括对第二光刻胶图形进行修复处理，使第二光刻胶图形的侧壁形貌变得平整。

3.如权利要求2所述的条形结构的形成方法，其特征在于，对第二光刻胶图形进行修复处理的具体工艺为等离子体处理工艺。

4.如权利要求3所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺的具体工艺参数包括：用于形成等离子体的反应气体为HBr、O₂、H₂、Ar其中的一种或几种，所述HBr的流量范围为20sccm～500sccm，所述O₂的流量范围为5sccm～50sccm，H₂的流量范围为20sccm～200sccm，所述Ar的流量范围为50sccm～500sccm，反应腔温度的范围为30摄氏度～60摄氏度，反应腔压强范围为3毫托～50毫托，反应腔的射频功率的范围为100瓦～1000瓦。

5.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述聚合物层的工艺包括：利用至少包括CH₃F、CH₂F₂、HBr、CH₄其中一种或几种的反应气体在所述第二光刻胶层顶部和侧壁表面形成聚合物层。

6.如权利要求5所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述聚合物层的具体工艺参数包括：所述HBr的流量范围为20sccm～500sccm，所述CH₄的流量范围为2sccm～20sccm，所述CH₃F和CH₂F₂的总流量范围为20sccm～500sccm，其中射频功率的范围为100瓦～1000瓦，反应温度的范围为30摄氏度～60摄氏度，反应腔压强范围为3毫托～50毫托。

7.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述第二光刻胶图形的条形开口的宽度大于特征尺寸，且最终形成的位于同一直线的相邻两个条形结构端点之间的距离小于特征尺寸。

8.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀形成第二条形的硬掩膜图案的过程中，在暴露出的第二条形的硬掩膜图案的侧壁形成聚合物，使得相邻两个第二条形的硬掩膜图案被断开处的侧壁变得倾斜，使得最终形成的位于同一直线的条形结构端点之间的距离变小。

9.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一条形的硬掩膜图案的工艺包括：在所述待刻蚀薄膜表面形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影，形成第一光刻胶图形，以所述第一光刻胶图形为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀，直到暴露出所述待刻蚀薄膜表面，在所述待刻蚀薄膜表面形成具有第一条形的硬掩膜图案。

10.如权利要求9所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、金属层其中的一层或其中几层形成的叠层结构。

11.如权利要求1所述的条形结构的形成方法，其特征在于，所述条形结构为多晶硅栅极、金属栅极、电阻或金属互连线。