[发明专利]非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法有效
| 申请号： | 201310232183.5 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241112B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 形成 方法 金属硅 | ||
1.一种非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体基底上形成半导体预备层，所述半导体预备层的形成过程为：向反应腔中通入硅的前驱气体，部分所述硅的前驱气体吸附在半导体基底的上表面形成半导体预备层，部分所述硅的前驱气体未吸附在半导体基底上而是处于悬浮状态；去除处于悬浮状态的所述硅的前驱气体；
对所述半导体预备层进行紫外线照射处理，直至所述半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气，所述紫外线照射处理的温度小于或等于400℃；
去除所述废气，在半导体基底上形成单层的非晶半导体材料；
重复上述形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在所述半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。
2.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述紫外线照射处理的温度大于或等于20℃且小于或等于300℃。
3.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述半导体预备层采用化学气相沉积方法形成。
4.如权利要求3所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法采用的气体包括：Si2H6、SiH2Cl2和SiH4中的一种或任意组合。
5.如权利要求3所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法采用的气体包括：Ge2H6和GeH4。
6.如权利要求4或5所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法采用的气体还包括：氧气。
7.如权利要求4或5所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，每种所述气体的流量大于或等于1sccm且小于或等于300sccm。
8.如权利要求3所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，每次形成所述半导体预备层的时间大于或等于0.01s且小于或等于10s。
9.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述紫外线照射处理的功率大于或等于10W且小于或等于1000W，压强大于或等于0.1Torr且小于或等于500Torr。
10.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，采用氩气和氢气中的一种或组合去除所述废气。
11.如权利要求10所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，所述氩气和氢气的流量大于或等于1sccm且小于或等于1000sccm。
12.如权利要求10所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，每次去除所述废气的时间大于或等于0.1s且小于或等于10s。
13.如权利要求1所述的非晶半导体材料的形成方法，其特征在于，在进行紫外线照射处理的同时，还包括：对所述半导体基底进行冷却处理，所述冷却处理的温度大于或等于20℃且小于或等于300℃。
14.一种金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括源区和漏区；
至少在所述源区和漏区上形成金属层；
进行第一次退火处理，所述第一次退火处理的温度大于或等于200℃且小于或等于400℃；
采用如权利要求1至13中任一项所述的非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；
进行第二次退火处理，所述第二次退火处理的温度大于或等于400℃且小于或等于700℃；
去除所述非晶半导体材料。
15.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述第一次退火处理的时间大于或等于10s且小于或等于20s，所述第二次退火处理的时间大于或等于10s且小于或等于20s。
16.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体材料的厚度大于或等于10埃且小于或等于200埃。
17.如权利要求14所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀方法去除所述非晶半导体材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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