[发明专利]一种多孔网状金纳米片阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201310232280.4 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103305881A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冯九菊;吕章英;黄宏;周丹玲;王爱军;秦素芳 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C25D3/48 | 分类号： | C25D3/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 321004 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 网状 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：
（1）、配制含金离子的电解夜；
（2）、采用三电极体系以稳定电位值对步骤(1)中的电解液进行电沉积；
（3）、沉积一定时间后，在工作电极上形成多孔网状金纳米片阵列（AuPTSAs）。
2.根据权利要求1所述的一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述的电解液由氯金酸（HAuCl4）、硫酸（H2SO4）和1-甲基咪唑混合而成，其中氯金酸（HAuCl4）物质的量浓度为：5.0～20mmol/L。
3.根据权利要求2所述的一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述的氯金酸（HAuCl4）、硫酸（H2SO4）和1-甲基咪唑物质的量浓度分别为：10mmol/L、0.5mol/L、1.25mol/L。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述电沉积时的电位值为-0.2V～-0.6V。
5.根据权利要求4所述的一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述电沉积时的电位值为-0.4Ｖ。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种多孔网状金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述的三电极体系中采用铂丝做辅助电极，饱和甘汞电极做参比电极，制备金纳米粒子的修饰玻碳电极做工作电极。
7.一种多孔网状金纳米片阵列，其特征在于，它由多个多孔纳米片相互连接成网状结构。
8.根据权利要求7所述的一种多孔网状金纳米片阵列，其特征在于，所述的纳米片由多个微小树枝分支自组装而成，树枝分支表面具有相同生长方向和间距的晶格条纹。
9.根据权利要求7或8所述的一种多孔网状金纳米片阵列，其特征在于，所述的纳米片垂直于基底。
10.根据权利要求7或8所述的一种多孔网状金纳米片阵列，其特征在于，所述纳米片的大小范围为1.0～2.0μm，直径在50～100nm之间。
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