[发明专利]固态成像装置以及摄像机有效
申请号: | 201310232383.0 | 申请日: | 2007-02-25 |
公开(公告)号: | CN103390627A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 丸山康;山口哲司;安藤崇志;桧山晋;大岸裕子 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 以及 摄像机 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
衬底,包括光电检测器;
第一绝缘膜,设置在该衬底的光接收表面上或上方,具有至少部分结晶的区域;
布线层,设置在该衬底的与该光接收表面相对的表面的上方;以及
电荷积累区,具有用于抑制形成在该衬底的光接收表面和该光电检测器之间的暗电流的功能;
其中,形成电荷积累区不需离子注入形成。
2.如权利要求1所述的固态成像装置,其中所述第一绝缘膜由选自铪、锆、铝、钽、钛、钇、镧系元素的元素的氧化物构成。
3.如权利要求1所述的固态成像装置,其中该光电检测器在该成像装置的成像区域中形成,外围电路在该成像装置的外围电路区域中形成,该第一绝缘膜设置在该成像区域和该外围电路区域的上方。
4.如权利要求3所述的固态成像装置,还包括:
遮光膜,设置在该外围电路区域中的该第一绝缘膜的上方。
5.如权利要求4所述的固态成像装置,其中该遮光膜设置在该外围电路区域和该成像区域的一部分的上方。
6.如权利要求5所述的固态成像装置,其中该电荷积累区在至少部分未设置有该遮光膜的成像区域中形成。
7.如权利要求3所述的固态成像装置,还包括:
第二绝缘膜,设置在该光接收表面和在该成像区域以及该外围电路区域上方的该第一绝缘膜之间。
8.如权利要求4所述的固态成像装置,还包括:
第三绝缘膜,设置在该第一绝缘膜和该遮光膜之间。
9.如权利要求1所述的固态成像装置,其中该第一绝缘膜通过原子层沉积形成。
10.如权利要求1所述的固态成像装置,其中该第一绝缘膜具有3nm~100nm的厚度。
11.一种摄像机,包括:
光学系统;以及
固态成像装置,接收来自该光学系统的入射光;,
该固态成像装置,包括:
衬底,具有第一表面和接收入射光的第二表面,该第二表面与该第一表面相对;
光电检测器,具有第一导电类型且形成在该衬底中;
第一绝缘膜,设置在该第二表面上或上方,且具有至少部分结晶的区域;
电荷积累区,形成在该光电检测器和在该光电检测器之上或上方未形成有第二导电型区域的该第二表面之间;
布线层,设置在该第一表面的上方。
12.如权利要求11所述的摄像机,其中该第一导电类型是n-型,该第二导电类型是p-型。
13.如权利要求11所述的摄像机,其中该第一绝缘膜具有电势控制功能,控制该光电检测器上方的电势。
14.如权利要求11所述的摄像机,其中所述第一绝缘膜由选自铪、锆、铝、钽、钛、钇、镧系元素的元素的氧化物构成。
15.如权利要求14所述的摄像机,其中该第一绝缘膜具有3nm~100nm的厚度。
16.如权利要求11所述的摄像机,其中该光电检测器形成在该成像装置的成像区域中,外围电路形成在该成像装置的外围电路区域中,该第一绝缘膜设置在该成像区域和该外围电路区域的上方。
17.如权利要求16所述的摄像机,还包括:
遮光膜,设置在该外围电路区域和该成像区域的一部分的上方。
18.如权利要求11所述的摄像机,其中该第一绝缘膜通过原子层沉积形成。
19.如权利要求18所述的摄像机,还包括:
第二绝缘膜,设置在该第二表面和该第一表面之间。
20.如权利要求19所述的摄像机,其中该第二绝缘膜由氧化硅组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的