[发明专利]电泳式切割系统及电泳式切割载体制作方法在审

专利信息
申请号: 201310232874.5 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN103774199A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 黄尧弘;陈炤彰 申请(专利权)人: 陈炤彰
主分类号: C25D15/00 分类号: C25D15/00
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 宋菲;刘云贵
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电泳 切割 系统 载体 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电泳(electrophoresis)式切割系统与电泳式切割载体制作方法,特别是针对具有硬脆材质或高硬度金属材料的基材进行切割的系统与制作切割载体的方法。

背景技术

在太阳能产业中,硅晶圆的制造过程基本上包含长晶(Grown)、去头尾(Cropping)、开方(S/Bricking)、切割(Sawing)与清洗(Clean)等制程步骤。

其中,利用线锯进行切割为一般常用的方式,且该切割作业在整个硅晶圆形成过程中占有十分重要的地位,因该线锯的切割制程将决定硅晶圆在切割后的厚度与表面的品质等因素,而这些因素将更进一步决定该硅晶圆的后续制程的困难度和复杂度。

传统的线锯切割主要可区分为分离磨料和固定磨料的两种方式。又,因为分离磨料的方式具有成本低、磨料可回收以及切割出的表面较符合后段太阳能模组的制程等优点,因而使应用分离磨料的方式大量地使用于该线锯切割作业中。

然而,在现有的该分离磨料的制程当中,其所使用的浆料为乙二醇(Ethylene Glycol)和碳化硅(SiC)所混合而成,而通常浆料的黏度和乙二醇的化学成分可能会造成浆料附着于该线锯上线材表面的厚度不一致,进而造成该线锯切割的切口损失(Kerf Loss)不同。

有鉴于上述的缺陷,如何提出一种有效的系统与方法来解决现有技术的缺点,已是目前重要且亟欲解决的课题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种电泳式切割载体制作方法,用以形成切割载体而达到对基材进行切割加工的目的。

本发明的另一目的是提供一种电泳式切割系统,通过电泳分离沉积方式将磨料附着于可对该基材进行切割的切割载体,而降低在对该基材进行切割时所造成切口损失的目的。

本发明的又一目的是提供上述的该电泳式切割系统,可应用于传统的分离磨料与固定磨料切割的技术,并可搭配不同的磨料和悬浮液,通过电场的方式控制该磨料沉积在该切割载体的膜厚,用以达到弹性地与均匀地控制薄膜厚度及提高磨料使用率的目的。

为达到上述目的及其它目的,本发明提供一种电泳式切割载体制作方法,形成切割载体以应用于基材的切割加工,该电泳式加工方法的步骤包含,步骤(a),调和介质、解离剂与结合剂,以形成悬浮溶液;接着步骤(b),结合磨料与该悬浮溶液,并在该悬浮溶液与该磨料施加第一电极;在接着步骤(c),设置切割载体并在该切割载体施加第二电极,以在该悬浮溶液与该磨料之间形成电场并在该切割载体的邻近部分产生该磨料的电泳沉积;以及,又再接着步骤(d),该磨料的其中一部分附着至该切割载体,以使该切割载体具有该磨料。

为达到上述目的及其它目的,本发明提供一种电泳式切割系统,应用于基材的切割加工,该电泳式切割系统包含容置槽、第一电极板、切割载体、第二电极板与传动单元。其中,该容置槽形成容置空间,该容置槽供储存具有磨料粒子的悬浮溶液;该第一电极板设置于该容置槽,该第一电极板具有第一电压;该切割载体设置于该容置空间的上方;该第二电极板与该切割载体电性连接,该第二电极板在该切割载体形成第二电压,该第二电压与该第一电压的电压极性相反;以及,该传动单元,设置于该容置槽的两侧及连接该切割载体,该传动单元驱动该切割载体以一位移方向产生移动,用以供该切割载体以该位移方向对该基材进行切割。其中,该第一电极板与该第二电极板在该容置空间产生电场,用以对该悬浮溶液中的该磨料粒子产生电泳分离,而让该磨料粒子的其中一部分脱离该悬浮溶液而附着于该切割载体。

与现有技术相较,本发明所提供的电泳式切割系统及电泳式切割载体制作方法,通过磨料进行电泳分离沉积的方式,使得该磨料可均匀地分布在可供对基材进行切割的切割载体的表面,并提供对该基材进行低切口损失的切割。

附图说明

图1为本发明一实施例的电泳式切割载体制作方法的制作流程图。

图2为本发明另一实施例的电泳式切割载体制作方法的制作流程图。

图3为本发明一实施例的电泳式切割系统的架构示意图。

图4为说明图3中容置槽的详细示意图。

图5为说明图3中切割载体的另一示意图。

图6为本发明另一实施例的电泳式切割系统的架构示意图。

主要部件附图标记:

2                          基材

22                         硅晶

24                         玻璃层

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