[发明专利]一种石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a) 碳化硅基片的清洗：选用<0001>取向的N型Si终止面单晶碳化硅，依次用碱性过氧化氢清洗液、去离子水、酸性过氧化氢清洗液、去离子水进行清洗，得到清洗好的碳化硅基片；

(b) 采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片，首先通过氢等离子体对碳化硅基片进行进一步清洗，然后通过感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源对富含氟的气体放电产生氟等离子体基团，利用氟等离子体选择性地去除碳化硅基片表面的硅原子，并在基片表面形成富碳层薄膜；

(c) 刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火实现所述富碳层薄膜的去氟化和石墨化，即可得到以碳化硅为衬底的石墨烯。

2.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述步骤(b)中的具体参数如下：

刻蚀气体组分和流量：C₄F₈和Ar混合气体，流量分别为10~20sccm和0.5~5sccm；

本底真空：5×10^-4Pa；

工作气压：1~30Pa；

上电极高频频率和功率：13.56~60MHz，0~300W；

下电极低频频率和功率：2MHz，0~250w；

ICP高频频率和功率：13.56~60MHz，0~500W；

刻蚀时间：5~15min。