[发明专利]一种检测刻蚀残留的方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种检测刻蚀残留的方法。

背景技术

在阵列基板和对盒基板的制备过程中，构图工艺是必不可少的步骤，一般构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、以及刻蚀，在刻蚀工序中如果刻蚀均匀性不好常会导致出现刻蚀残留问题；其中，所述刻蚀残留是指在构图工艺结束后，需要全部去除的膜层没有完全去除，即仍有部分残留。

例如，对于底栅型阵列基板，其形成过程可以包括:在基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极、以及保护层和像素电极，其中所述有源层可以包括非晶硅层和n+非晶硅层，像素电极通过设置在保护层上的过孔与所述漏极连接。

其中，在刻蚀形成n+非晶硅层时，与所述源极和漏极之间间隙对应的n+非晶硅需要完全刻蚀掉，但刻蚀工序后经常会出现该处n+非晶硅刻蚀不完全的现象，这将会导致最终制备的阵列基板结构改变，从而产生不良品。

此外，在刻蚀形成位于保护层上的过孔时，所述过孔处的保护层物质例如氮化硅也需要完全刻蚀掉，但刻蚀工序后也经常会出现过孔刻蚀不完全现象，从而导致该过孔不能连接像素电极和漏极，产生不良品。

发明内容

本发明的实施例提供一种检测刻蚀残留的方法，可实现检测刻蚀残留，从而提高产品良率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:

提供一种检测刻蚀残留的方法，包括:获取待检测处的图案；

对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图；

根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质。

可选的，所述根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质包括:

判断是否存在表征所述残留物质的官能团或化学键的特征峰；

若存在所述特征峰，则所述待检测处存在所述残留物质；若不存在所述特征峰，则所述待检测处不存在所述残留物质。

进一步可选的，所述获取待检测处的图案包括:

采用膜层色差拟合出所述待检测处的图案的边界，并对所述待检测处的图案形状进行定位。

可选的，所述对所述待检测处的图案进行红外光谱测试包括:

采用傅里叶变换红外光谱仪对所述待检测处的图案进行红外光谱测试。

进一步可选的，所述对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图之前，获取所述待检测处的图案之后，所述方法还包括:

通过设置与所述待检测处的图案对应的光阑，将所述傅里叶变换红外光谱仪的入射光限定在所述待检测处。

进一步地，所述光阑的透光部分的形状与所述待检测处的图案的形状相同，且面积小于等于所述待检测处的图案的面积。

进一步可选的，所述光阑设置在所述傅里叶变换红外光谱仪中，或设置在所述傅里叶变换红外光谱仪的出光一侧。

可选的，在所述待检测处正下方设置有金属层的情况下，

所述采用傅里叶变换红外光谱仪对所述待检测处的图案进行红外光谱测试包括:采用傅里叶变换红外光谱仪的反射模式对所述待检测处的图案进行红外光谱测试。

本发明实施例提供了一种检测刻蚀残留的方法，该方法包括:获取待检测处的图案；对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图；根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质；这样，通过判断所述红外光谱图中是否包括有表征所述残留物质的官能团或化学键的特征峰，可以判断出是否存在所述残留物质，从而实现检测刻蚀残留的目的，进而提高产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种检测刻蚀残留的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的保护层上过孔处残留氮化硅的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的阵列基板的与源极和漏极之间间隙对应的有源层上残留n+非晶硅的结构示意图；

图4a为本发明实施例一提供的与所述源极和漏极之间间隙对应的图案处没有n+非晶硅残留时阵列基板薄膜晶体管的俯视示意图；

图4b为本发明实施例一提供的与所述源极和漏极之间间隙对应的图案处有n+非晶硅残留时阵列基板薄膜晶体管的俯视示意图；

图5a为本发明实施例一提供的与所述源极和漏极之间间隙对应的图案处没有n+非晶硅残留时的俯视示意图；