[发明专利]过电流侦测电路

权利要求书

1.一种过电流侦测电路，包括一放大电路及一比较电路，所述比较电路包括一比较器，所述放大电路连接一位于一回路中的检测电阻的两端，所述放大电路用于放大所述检测电阻的两端的一输出电压并将所述输出电压输送给所述比较器的反向输入端，所述比较器的正向输入端用于接收一设置电压，所述比较器用于在所述设置电压小于所述输出电压时输出一控制电压。

2.如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述放大电路包括一放大器，所述放大器的正向输入端分别通过一第一电阻连接所述检测电阻的一端及通过一第二电阻接地，所述放大器的反向输入端通过一第三电阻连接所述检测电阻的另一端，所述放大器的输出端通过一第四电阻连接所述比较器的反向输入端。

3.如权利要求2所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述第一电阻的电阻值等于所述第三电阻的电阻值，所述第二电阻的电阻值等于所述第四电阻的电阻值。

4.如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的正向输入端连接相互串联的两个电阻的公共端，所述的相互串联的两个电阻分别连接于所述公共端与地之间及所述公共端与一第一供电单元之间。

5.如权利要求4所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述第一供电单元为一直流电源。

6.如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的正向输入端还通过一晶体管连接一电源适配器，所述电源适配器用于连接一交流电源，所述电源适配器连接所述晶体管的导通端，所述晶体管的第一连接端连接所述比较器的正向输入端，所述晶体管的第二连接端通过一电阻接地。

7.如权利要求6所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述晶体管为一N沟道增强型MOSFET，所述晶体管的导通端为所述晶体管的栅极，所述晶体管的第一连接端为所述晶体管的漏极，所述晶体管的第二连接端为所述晶体管的源极。

8.如权利要求2所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述放大器的输出端通过一第五电阻连接所述比较器的反向输入端。

9.如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的反向输入端通过一电容接地。

10.如权利要求1所述的过电流侦测电路，其特征在于：所述比较器的输出端连接所述系统模块。