[发明专利]一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种自对准金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其步骤包括：

1)在衬底上淀积金属氧化物半导体层；

2)光刻和刻蚀所述金属氧化物半导体层，形成有源区图形；

3)在衬底上生成覆盖在所述金属氧化物半导体层之上的绝缘栅介质层；

4)在所述绝缘栅介质层上淀积一层栅极导电层；

5)光刻和刻蚀所述栅极导电层和绝缘栅介质层，分别形成栅电极和栅介质图形；

6)在整个衬底上旋涂一层旋涂掺杂剂层，然后对其进行热处理，使旋涂掺杂剂层中的掺杂原子扩散进入未被栅电极所覆盖的沟道区两侧的金属氧化物半导体中，形成低阻源漏区；

7)进行晶体管制作的后续工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤6）所述热处理在150℃-600℃的温度下进行。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述旋涂掺杂剂层为下列中的一种：硼旋涂掺杂层、磷旋涂掺杂层、砷旋涂掺杂层。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤1）先在衬底上淀积一层缓冲层，然后再淀积所述金属氧化物半导体层。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述金属氧化物半导体层为非晶、微晶或多晶结构的氧化锌基或者氧化铟基材料，采用磁控溅射方法或反应溅射方法淀积所述金属氧化物半导体层。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤1）所述金属氧化物半导体层为厚的高电阻率金属氧化物半导体层，在其上淀积一层薄的低电阻率金属氧化物层形成双层沟道，然后光刻和刻蚀所述双层沟道形成有源区图形。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述绝缘栅介质层的材质为由氮化硅、氧化硅、有机介质及氧化铝或氧化铪等高介电常数介质中的一种形成的单层栅介质，或者是由双层或多层介质材料形成的复合栅介质；采用下列方法中的一种或多种淀积所述绝缘栅介质层：等离子体增强化学气相淀积、原子层淀积、磁控溅射、反应溅射和旋涂。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：利用步骤6）中形成的旋涂掺杂剂层充当器件钝化层；或者在旋涂掺杂剂层之上再淀积一层钝化层形成复合钝化层；或者将步骤6）中形成的旋涂掺杂剂层去掉，另淀积一层钝化层。

10.根据权利要求1至9中任一项所述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管。