[发明专利]等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置内具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，包括：

部件本体；

氧化钇包覆层，其覆盖所述部件本体暴露于等离子体的至少部分表面；以及

形成于所述氧化钇包覆层表面的阻挡层，所述阻挡层阻止所述氧化钇包覆层中的氧化钇与含氟等离子体反应。

2.根据权利要求1所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，所述阻挡层为氟化钇阻挡层或氧化铒阻挡层。

3.根据权利要求1所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，所述阻挡层的厚度为2微米至10微米。

4.根据权利要求2所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，所述阻挡层通过等离子体沉积或热喷涂沉积或凝胶溶胶法沉积而形成。

5.根据权利要求2所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，所述阻挡层通过在所述氧化钇包覆层沉积后接续进行相同的沉积工艺而形成，所述沉积工艺包括等离子体沉积，热喷涂沉积，离子辅助沉积，溅射沉积或物理气相沉积。

6.根据权利要求2所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，所述阻挡层为氟化钇阻挡层，其通过在进行等离子体处理工艺前，在所述等离子体装置的反应腔室内形成含氟等离子体，并由所述含氟等离子体与所述氧化钇包覆层的表面发生反应而形成。

7.根据权利要求6所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，形成所述含氟等离子体的射频功率小于等于1000W，反应腔室气压大于等于100mtorr。

8.根据权利要求1所述的具有氧化钇包覆层的部件，其特征在于，所述部件选自气体喷淋头，气体分配板，等离子体限制环，聚焦环，静电夹盘或等离子体处理装置反应腔室的内壁。

9.一种等离子体处理装置内具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：制造部件本体；

步骤S2：在所述部件本体暴露于等离子体的至少部分表面上沉积氧化钇包覆层；以及

步骤S3：在所述氧化钇包覆层表面形成阻挡层，以阻止所述氧化钇包覆层中的氧化钇与含氟等离子体反应。

10.根据权利要求9所述的具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

通过等离子体沉积或热喷涂沉积或凝胶溶胶法沉积阻挡层材料以形成所述阻挡层。

11.根据权利要求9所述的具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

在步骤S2之后接续以相同的沉积工艺形成所述阻挡层，所述沉积工艺包括等离子体沉积或热喷涂沉积或离子辅助沉积或溅射沉积或物理气相沉积阻挡层材料以形成所述阻挡层。

12.根据权利要求10或11所述的具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层材料为氟化钇或氧化铒。

13.根据权利要求9所述的具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

在进行等离子体处理工艺前，在所述等离子体装置的反应腔室内形成含氟等离子体，所述含氟等离子体与所述氧化钇包覆层的表面反应生成氧化钇以形成所述阻挡层。

14.根据权利要求13所述的具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，形成所述含氟等离子体的射频功率小于等于1000W，反应腔室气压大于等于100mtorr。

15.根据权利要求9所述的具有氧化钇包覆层的部件的制造方法，其特征在于，所述部件选自气体喷淋头，气体分配板，等离子体限制环，聚焦环，静电夹盘或等离子体处理装置反应腔室的内壁。