[发明专利]硅片测试前加热装置制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及硅片测试前加热装置制作方法。

背景技术

烧结流出的硅片表面温度与待测试硅片表面温度差异较大，当车间温度满足烧结流出硅片的测试要求时，待测试硅片表面温度通常偏低。外围空调系统很难使两者同时满足测试要求，而频繁的调整空调温度大大增加了能耗。

发明内容

本发明所要解决的技术问题就是提供一种硅片测试前加热装置制作方法，方法简单，但制作出的加热装置可以使待测试硅片满足测试温度，降低空调系统产生的能耗。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：硅片测试前加热装置制作方法，行走臂向测试暗箱输送待测试硅片，其特征在于：首先，在测试暗箱前的行走臂上方搭设玻璃制的门形加热框架，其中加热框架顶部钻有电线孔，加热框架顶部外侧铺设有热辐射膜；然后，在加热框架顶部安装红外线加热灯，红外线加热灯电源线从加热框架顶部的电线孔穿入与红外线加热灯连接；最后，在加热框架外侧安装加热开关；当待测试硅片输送时，开启红外线加热灯，通过红外线的辐射传热提高待测试硅片的表面温度，使待测试硅片满足测试时的温度要求。

优选的，所述加热开关设有一级加热按钮和二级加热按钮；当硅片表面温度在23℃～25℃的情况下，只需要开启一级加热按钮，当硅片表面温度低于23℃的情况下，需要开启二级加热按钮。

本发明在烧结下料行走臂处加装一个加热装置，该加热装置设置有可调节加热效率的红外加热灯，当待测试硅片输送时，开启红外线加热灯，通过红外线的辐射传热提高待测试硅片的表面温度，使待测试硅片满足测试时的温度要求，这样也避免了开启空调来调整温度，降低了能耗，而且此加热装置结构简单，改装方便，成本低廉。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步描述：

图1为本发明加热装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合图1对硅片测试前加热装置做出具体说明。

如图1所示，该硅片测试前加热装置包括设于测试暗箱1前的加热框架3，行走臂2穿过加热框架向测试暗箱输送硅片4，所述加热框架顶部设有加热源加热行走臂上输送的硅片。所述加热框架为架设在行走臂上方的门形玻璃框架，所述加热框架顶部外侧铺设有热辐射膜。所述加热源为红外线加热灯，红外线加热灯电源线从加热框架顶部穿入，所述红外线加热灯由设于加热框架外侧的加热开关控制。所述加热开关设有一级加热按钮和二级加热按钮。

下面对上述加热装置的制作方法做出说明：首先，在测试暗箱前的行走臂上方搭设玻璃制的门形加热框架，其中加热框架顶部钻有电线孔，加热框架顶部外侧铺设有热辐射膜；然后，在加热框架顶部安装红外线加热灯，红外线加热灯电源线从加热框架顶部的电线孔穿入与红外线加热灯连接；最后，在加热框架外侧安装加热开关。所述加热开关设有一级加热按钮和二级加热按钮；当硅片表面温度在23℃～25℃的情况下，只需要开启一级加热按钮，当硅片表面温度低于23℃的情况下，需要开启二级加热按钮。当正常测试烧结炉出来的硅片时，无需开启加热，当测试待流硅片时，如果硅片表面温度偏低，则需要开启加热。