[发明专利]晶圆电镀镍金产品及其制备方法

权利要求书

1.一种晶圆电镀镍金产品，包括基材，其特征在于，所述基材表面设有导电区和非导电区，所述导电区的基材表面上依次设有种子层、电镀铜层、电镀镍层、电镀金层。

2.根据权利要求1所述的晶圆电镀镍金产品，其特征在于，所述种子层为0.3-0.5μm的真空镀铜层或真空镀钛层。

3.根据权利要求1所述的晶圆电镀镍金产品，其特征在于，所述电镀铜层的厚度为0.5-30μm；所述电镀镍层的厚度为0.2-10μm；所述电镀金层的厚度为0.001-2μm。

4.根据权利要求3所述的晶圆电镀镍金产品，其特征在于，所述电镀铜层的厚度为2-20μm；所述电镀镍层的厚度为0.5-10μm；所述电镀金层的厚度为0.1-0.8μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆电镀镍金产品，其特征在于，所述电镀金层上还设有阻焊区和非阻焊区，所述阻焊区的电镀金层上还设有阻焊膜。

6.权利要求1-5任一项所述的晶圆电镀镍金产品的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）基材经过真空镀，在基材表面形成0.2-0.5μm的种子层，然后在种子层表面覆盖一层感光油墨；

（2）采用曝光显影的方法去掉导电区种子层表面的油墨；

（3）采用电镀的方法在步骤（2）得到的导电区种子层上电镀一层电镀铜层，电镀铜的工艺参数为：电流密度为0.5-10A/dm²，温度为10-40℃；

（4）采用电镀的方法在步骤（3）得到的电镀铜层上电镀一层电镀镍层，电镀镍的工艺参数为：电流密度为0.5-10A/dm²，温度为20-70℃；

（5）采用电镀的方法在步骤（4）得到的电镀镍层上电镀一层电镀金层，电镀金的工艺参数为：电流密度为0.1-1.0A/dm²，温度为20-70℃；

（6）去除基材非导电区的感光油墨；

（7）采用蚀刻的方法去除基材非导电区的种子层，即得所述晶圆电镀镍金产品。

7.根据权利要求6所述的晶圆电镀镍金产品的制备方法，其特征在于，步骤（3）中的电镀铜的工艺参数为：电流密度为1.0-3.0A/dm²，温度为20-35℃；步骤（4）中电镀镍的工艺参数为：电流密度为1.0-3.0A/dm²，温度为40-60℃；步骤（5）中电镀金的工艺参数为：电流密度为0.2-0.5A/dm²，温度为40-60℃。

8.根据权利要求6-7任一项所述的晶圆电镀镍金产品的制备方法，其特征在于，所述步骤（7）之后，还包括在电镀金层的阻焊区覆盖上一层阻焊膜。

9.根据权利要求6-7任一项所述的晶圆电镀镍金产品的制备方法，其特征在于，所述各步骤还包括水洗、润湿、预浸或烘干步骤中的一种或几种。