[发明专利]减少深沟槽硅蚀刻针状缺陷的处理方法在审
| 申请号： | 201310234893.1 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104241115A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梁海慧;陈威;顾姗姗 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 深沟 蚀刻 针状 缺陷 处理 方法 | ||
1.一种减少深沟槽硅蚀刻针状缺陷的处理方法，其特征在于，包括步骤：
1）在硅衬底的外延层上，生长氧化膜作为掩膜层，以光阻作为阻挡层，氧化膜蚀刻打开到硅衬底；
2）以含H2SO4和H2O2的去光阻溶液以及60～70℃的一号标准液清洗硅表面，形成深沟槽的预定开口区域；
3）进行氧化处理，形成牺牲氧化层后，去除牺牲氧化层；
4）进行深沟槽硅刻蚀；
5）去除作为掩膜层的氧化膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，生长氧化膜的生长方法为热氧或化学气相沉淀的方法。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，含H2SO4和H2O2的去光阻溶液中的H2SO4：H2O2的体积比为5：1，其中，H2SO4采用质量分数为49%的H2SO4；
一号标准液由NH4OH、H2O2和H2O所组成，其中，NH4OH的体积比范围为1/25～1/7，H2O2的体积比范围为1/7～4/25，其余为H2O。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，氧化处理的温度高于800℃，牺牲氧化层的厚度大于300埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，去除牺牲氧化层的方法，包括：采用湿法药液去除牺牲氧化层；
其中，湿法药液，包括：稀释的HF或BOE药液。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，深沟槽的深度大于10μm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，去除的方法包括：采用湿法药液去除；
其中，湿法药液，包括：稀释的HF或BOE药液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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