[发明专利]光半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310234931.3 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN103515838A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 黑木公治 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;李浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及能够降低制造成本并且提高产品质量的光半导体装置。

背景技术

作为以往的光半导体装置,引线从管座的下表面突出的CAN封装被广泛普及。此外,还提出了预先使引线的突出的部分变短的封装(例如,参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1  日本特开平7-221391号公报。

以往的光半导体装置在将引线切割为指定的长度之后利用焊接安装于光模块(optical transceiver)的印刷基板等。因此,不能够实现回流等的自动化,根据操作者的技术水平,制造质量产生偏差。

在预先使引线的突出的部分变短的封装中不需要引线切割。但是,在每次将引线插入到检查装置中时对引线造成损伤,产生外观不良。此外,若引线从管座下表面突出,则用于将该突出的部分接合于印刷基板的电极的焊料的量变多。因此,存在制造成本变高这样的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的,其目的在于得到能够降低制造成本并且提高产品质量的光半导体装置。

本发明的光半导体装置的特征在于,具备:基板,具有上表面和下表面;光半导体元件,配置在所述基板的所述上表面;引线,贯通所述基板,从所述基板的所述上表面突出并且不从所述基板的所述下表面突出;导线,将所述引线的突出的部分电连接于所述光半导体元件;带有透镜的盖,在所述基板的所述上表面,覆盖所述光半导体元件、所述引线的突出的部分以及所述导线;焊料,配置在所述基板的所述下表面并且与所述引线电连接。

根据本发明,能够降低制造成本并且提高产品质量。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的光半导体装置的剖面图。

图2是示出本发明的实施方式1的光半导体装置的侧面图。

图3是示出比较例的光半导体装置的侧面图。

图4是示出本发明的实施方式2的光半导体装置的剖面图。

图5是示出本发明的实施方式3的光半导体装置的剖面图。

图6是示出本发明的实施方式4的光半导体装置的剖面图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式的光半导体装置进行说明。对相同或者对应的结构要素标注相同的附图标记,存在省略重复说明的情况。

实施方式1

图1以及图2分别是示出本发明的实施方式1的光半导体装置的剖面图以及侧面图。在管座1的上表面配置有底座2。在底座2上配置有子基板3,在子基板3上配置有作为一般的发光元件的半导体激光器4。

为了确保散热性,管座1是FeNi合金等导电性物质,底座2的材质与管座1相同。使管座1或底座2为接地电位,由此,能够降低针对半导体激光器4的噪声。此外,子基板3是氮化铝或氧化铝等陶瓷类材料,具有管座1和半导体激光器4的中间的线膨胀系数,所以,能够减少安装变形。

引线5、6贯通管座1,从管座1的上表面突出。在管座1和引线5、6之间设置有绝缘材料7。引线5、6不从管座1的下表面突出。

引线5的突出的部分利用导线8电连接于半导体激光器4的表面电极。设置于子基板3的高频电路9利用芯片焊接而与半导体激光器4的背面电极电连接。引线6的突出的部分利用导线10电连接于高频电路9。高频电路9抑制信号的电反射。带有透镜11的盖12在管座1的上表面覆盖半导体激光器4、引线5、6的突出的部分以及导线8、10。

焊料球13、14配置在管座1的下表面并且分别与引线5、6电连接。焊料球13、14是SnAgCu等。隔着该焊料球13、14,光半导体装置电气地并且机械地接合于光模块的印刷基板等。在管座1的下表面配置的绝缘片材15将管座1与焊料球13、14电绝缘。

接着,与比较例进行比较,说明本实施方式的效果。图3是示出比较例的光半导体装置的侧面图。在比较例中,引线5、6从管座1的下表面突出。比较例的装置在将引线5、6切割为指定的长度之后利用焊接进行安装,所以,不能够实现回流等的自动化,根据操作者的技术水平,制造质量产生偏差。

另一方面,在本实施方式中,引线5、6不从管座1的下表面突出,焊料球13、14配置在管座1的下表面并且与引线5、6电连接。这样,使与外部的电接合部为焊料球13、14,由此,能够使外部的安装方法多样化。例如,通过使用回流等的自动安装制造装置,从而能够提高生产能力(throughput),能够抑制起因于操作者的制造质量的偏差。

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