[发明专利]一种晶体硅太阳电池生产工艺有效
| 申请号： | 201310235300.3 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103311369A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;姜言森;任现坤;徐振华;张春艳;马继磊 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 徐槐 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 生产工艺 | ||
1.一种晶体硅太阳电池生产工艺，包括如下步骤：制绒、扩散、去除磷硅玻璃、PECVD沉积氮化硅、硅片酸溶液清洗、烘干、丝网印刷、烧结和分检。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述硅片酸溶液清洗的步骤中，清洗剂包括HF溶液和/或HCl溶液。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述硅片酸溶液清洗的步骤是，将有氮化硅的硅片放入HF和HCl的混合液中进行清洗。
4.根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述HF的浓度为0.1%-80%，HCl的浓度为2%-50%，清洗的温度10-20℃，清洗时间10 -1000秒。
5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述HF的浓度为15%，HCl的浓度为2%，温度15℃，时间300秒。
6.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述硅片酸溶液清洗的步骤是依次先后经过HF和HCl的溶液清洗。
7.根据权利要求6所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述HF溶液的浓度为0.1%-80%，清洗的温度10-20℃，清洗时间10 -1000秒。
8.根据权利要求7所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述HCl溶液的浓度为2%-50%，清洗的温度10-20℃，清洗时间10 -1000秒。
9.根据权利要求7或8所述的一种晶体硅太阳电池生产工艺，其特征在于：所述HF的浓度为5%，清洗的温度15℃，清洗时间600秒；HCl的浓度为2%，清洗的温度18℃，清洗时间200秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
