[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法

说明书

技术领域

本发明属于晶体硅太阳能电池片的检测领域，涉及一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法。

背景技术

晶体硅太阳能电池片的制作共分为制绒、扩散、刻蚀、清洗、镀膜和丝网印刷六道工序，其中刻蚀的目的是为了去除P型原料硅片扩散后硅片四周留下的掺磷的N型区域，此N型区域如未去除或去除不彻底会使电池片正面和背面导通，导致电池片边缘漏电，降低电池片品质，在产线实际生产过程中可能会因设备故障、人员操作、特气波动等原因致使刻蚀工艺运行异常，导致边缘刻蚀不净或未刻蚀，此类硅片经镀膜、丝网印刷后会产生大量不良品。

因此，需要一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法以解决上述问题。

发明内容

发明目的：本发明的目的是针对现有技术中对于四主栅标片无法标定的缺陷，提供一种精度较高的晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法。

技术方案：为实现上述发明目的，本发明的晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法可采用如下技术方案：

一种晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，包括以下步骤：

1）、将边缘漏电的电池片接直流电源，利用热成像仪确定所述电池片边缘漏电的具体位置；

2）、利用砂纸将所述电池片的边缘漏电区域打磨掉。

更进一步的，所述电池片竖直固定在支架上。

有益效果：本发明的晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，简单易用，可操作性强，因边缘刻蚀不净或未刻蚀的边缘漏电电池片经砂纸打磨后漏电及转换效率达到正常电池片的水平，外观方面也符合正常电池片的控制标准。 

附图说明

图1为本发明的晶体硅太阳能电池片接直流电源的结构示意图；

图2为利用砂纸将电池片的边缘漏电区域打磨掉的示意图；

图3为转换效率对比图；

图4为漏电对比图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

请参阅图1和图2所示，本发明的晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，包括以下步骤：

1）、将边缘漏电的电池片1接直流电源，利用热成像仪2确定所述电池片1边缘漏电的具体位置；

2）、利用砂纸2将所述电池片1的边缘漏电区域打磨掉。

实施例1

请参阅图1和图2所示，首先，将边缘漏电电池片垂直固定于一支架11上并接直流电源，由于电池片1漏电区域在接直流电源之后会发热，故使用热成像仪2可以很容易确认漏电具体位置，然后手动用砂纸3对电池片漏电的边缘进行打磨并重新检测，如电池片漏电和效率达到正常值则打磨成功，电池片可以正常产出，如漏电和效率未达到正常值则继续进行打磨，直至达到正常值为止。

请参阅图3和图4所示，因边缘刻蚀不净或未刻蚀的边缘漏电电池片经砂纸打磨后漏电及转换效率达到正常电池片的水平，外观方面也符合正常电池片的控制标准。

本发明的晶体硅太阳能电池片边缘漏电的修复方法，简单易用，可操作性强，因边缘刻蚀不净或未刻蚀的边缘漏电电池片经砂纸打磨后漏电及转换效率达到正常电池片的水平，外观方面也符合正常电池片的控制标准。