[发明专利]一种纳米碳化钨的制备方法有效
申请号: | 201310236445.5 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN103302309A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 唐建成;叶楠;卓海鸥 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | B22F9/26 | 分类号: | B22F9/26;B22F9/08 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 碳化 制备 方法 | ||
1. 一种纳米碳化钨的制备方法,其特征是按如下步骤:
(1) 将一定量的偏钨酸铵、硝酸铬和水溶性碳源物质:葡萄糖或蔗糖或酚醛树脂,溶于加热的去离子水中,充分混合,其中水溶性碳源物质的重量百分比为10~30%,硝酸铬为0.5~2%,去离子水的温度≥70℃,原料混合均匀后采用喷雾干燥的方法制得前驱体粉末;
(2) 将步骤(1)中制得的前驱体粉末放入管式气氛炉中进行碳辅助氢还原,还原温度为710~850℃,升温速率10~15℃/min,时间为2~5h;还原结束后,在粉末出炉前用惰性气体进行钝化处理;
(3)将步骤(2)中制得的钨粉在管式气氛炉中进行氢气气氛下的高温退火,退火温度为1000~1300℃,时间为1~3h;
(4) 对步骤(3)中高温退火后的钨粉进行配碳,配碳比为6.21wt.%,将钨粉和活性碳黑粉末混合均匀,然后在管式气氛炉中进行碳化,碳化条件为氢气气氛保护,碳化温度为1100~1400℃,碳化时间为1~4h,碳化结束后,在粉末出炉前用惰性气体进行钝化处理。
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