[发明专利]一种WSI复合栅的制造方法

权利要求书

1.一种WSI复合栅的制造方法，其包括：

在硅片上先形成栅氧层结构的步骤，其中栅氧层的厚度为123埃

在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅（poly）的步骤，其中沉淀多晶硅采用化学气相沉积（CVD）的方法沉积，沉积的厚度为1500埃

对硅片进行预清洗的步骤；

在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI）的步骤，其中沉积WSI采用化学气相沉积（CVD）的方法沉积，沉积的厚度为1200埃

进行WSI刻蚀的步骤；

进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤；

不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其中WSI刻蚀和多晶硅刻蚀是采用的干法刻蚀，使用的设备为等离子体刻蚀机。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述进行WSI刻蚀的步骤进一步包括：

进行WSI主刻蚀的步骤，其中进行WSI主刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托（mt），电极源端功率为400瓦（w），电极偏压端功率为80瓦（w），通入80标况毫升每分流量的氯气（CL₂）和25标况毫升每分流量的四氟化碳（CF₄）。

进行WSI过刻蚀的步骤，其中进行WSI过刻蚀的参数设置为腔室压力为6兆托（mt），电极源端功率为400瓦（w），电极偏压端功率为80瓦（w），通入80标况毫升每分流量的氯气（CL₂）和35标况毫升每分流量的四氟化碳（CF₄）。

4.如权利要求2所述的方法，其中进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤进一步包括：

进行多晶硅主刻蚀的步骤，其中进行多晶硅主刻蚀的参数设置为腔室压力为8兆托（mt），电极源端功率为220瓦（w），通入50标况毫升/分流量的氯气（CL₂）和125标况毫升/分流量的溴化氢（HBr）。

进行多晶硅过刻蚀的步骤，其中进行多晶硅过刻蚀的参数设置为腔室压力为60兆托（mt），电极源端功率为220瓦（w），通入150标况毫升/分流量的氦气（HE）和100标况毫升/分流量的溴化氢（HBr）。