[发明专利]一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法，包括选取N型的硅片，并对该N型硅片进行化学清洗和制绒得到电池衬底，其特征在于，还包括以下步骤：

1）在所述电池衬底的受光面制作PN结；

2）在电池衬底的背光面形成重掺杂区；

3）在电池衬底受光面上沉积钝化膜和减反射膜；

4）在电池衬底的背光面上沉积减反射膜；

5）制作电池的正负极。

2.根据权利要求1所述的N型晶体硅双面光伏电池的制备方法，其特征在于，所述第1）步中使用离子注入工艺在受光面注入硼形成PN结，离子束能量在6-20KeV，离子注入量为1*10¹⁴～9*10¹⁵cm^-2，离子注入后进行退火形成方块电阻为40～120Ω/□的区域。

3.根据权利要求1所述的N型晶体硅双面光伏电池的制备方法，其特征在于，所述1）步中对电池衬底的受光面使用扩散工艺在800～1000℃的温度范围内进行硼扩散，硼扩散区域的方块电阻为40～120Ω/□，然后去除背结、边结和硼硅玻璃。

4.根据权利要求2或3所述的N型晶体硅双面光伏电池的制备方法，其特征在于，所述第3）步中使用离子注入工艺在N型电池衬底的背光面注入磷源，离子束能量在8-15KeV，离子注入量为1*10¹⁵～7*10¹⁵cm^-2，然后退火形成背场。

5.根据权利要求2所述的N型晶体硅双面光伏电池的制备方法，其特征在于，所述第3）步中在电池衬底的背光面进行磷扩散，然后去除背结、边结和硼硅玻璃。