[发明专利]BSI芯片中的多金属膜叠层

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体衬底；

黑色参考电路，位于所述半导体衬底中；

金属焊盘，位于所述半导体衬底的正面且位于所述半导体衬底下方；

第一导电层，包括：

第一部分，穿过所述半导体衬底以连接至所述金属焊盘；和

第二部分，在所述半导体衬底的背面上形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层与所述黑色参考电路对准，并且互连所述第一部分和所述第二部分以形成连续区域；

第二导电层，包括位于所述第一导电层的第一部分上方并与所述第一导电层的第一部分接触的第一部分，其中，所述第一导电层的第一部分和所述第二导电层的第一部分形成第一金属焊盘；以及

介电层，位于所述第一导电层的第二部分上方并与所述第一导电层的第二部分接触。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一导电层进一步包括形成金属网格的第三部分，并且所述第二导电层没有延伸到所述金属网格上方。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述金属网格电连接至所述第一金属焊盘。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述金属网格和所述金属屏蔽层形成所述第一导电层的连续区域。

5.根据权利要求2所述的器件，进一步包括：与所述金属网格对准的图像传感器。

6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

外围电路；以及

所述第一导电层的第三部分，形成与所述外围电路重叠的附加金属屏蔽层，所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分形成所述第一导电层的连续区域。

7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

外围电路；

所述第一导电层的第三部分，形成与所述外围电路重叠的附加金属屏蔽层；以及

第二金属焊盘，包括：

所述第一导电层的第四部分，穿过所述半导体衬底；和

所述第二导电层的第二部分，位于所述第一导电层的第四部分上方并与所述第一导电层的第四部分接触，其中，所述附加金属屏蔽层电连接至所述第二金属焊盘并与所述第一金属焊盘断开电连接。

8.一种器件，包括：

半导体衬底；

金属焊盘，位于所述半导体衬底的正面上且位于所述半导体衬底下方；

金属线，位于所述半导体衬底的所述正面；

第一导电层，包括：

第一部分，穿过所述半导体衬底以连接至所述金属焊盘；

第二部分，位于所述半导体衬底上方并与其间隔开；

第三部分，形成导电塞，以与所述半导体衬底物理接触，所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分形成所述第一导电层的连续区域；

第四部分，穿过所述半导体衬底以连接至所述金属线，所述第四部分与所述第一导电层的第一部分、第二部分和第三部分断开物理连接；以及

第二导电层，包括：

第一部分，位于所述第一导电层的第一部分上方并与所述第一导电层的第一部分接触，并且与所述第一导电层的第一部分一起形成第一金属焊盘；以及

第二部分，位于所述第一导电层的第四部分上方并与所述第一导电层的第四部分接触，并且与所述第一导电层的第四部分一起形成第二金属焊盘，其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘相互电连接。

9.根据权利要求8所述的器件，进一步包括：缓冲氧化物层，位于所述第一导电层的第二部分和所述半导体衬底之间，所述导电塞穿过所述缓冲氧化物层。

10.一种方法，包括：

形成穿过半导体衬底的第一开口和第二开口；

在所述半导体衬底的背面上形成缓冲氧化物层；

图案化所述缓冲氧化物层，以形成第三开口；

在所述半导体衬底的背面上以及所述缓冲氧化物层上方形成第一导电层，其中，所述第一导电层包括：

第一部分和第二部分，延伸到所述第一开口和所述第二开口中，以分别形成第一金属焊盘和第二金属焊盘的下部；以及

第三部分，延伸到所述第三开口中，以与所述半导体衬底接触，其中，所述第三部分形成导电塞；

在所述第一导电层上方形成第二导电层；

实施第一图案化步骤，以去除所述第二导电层的第一部分和第二部分，所述第一导电层被用作蚀刻停止层，其中，所述第二导电层的第一部分与所述导电塞重叠，并且所述第二导电层的第二部分位于图像传感器区中，并且保留部分所述第二导电层以形成所述第一金属焊盘和第二金属焊盘的上部；以及

实施第二图案化步骤，以图案化所述图像传感器区中的所述第一导电层从而形成金属网格，其中，在所述第二图案化步骤之后，所述第一导电层的第三部分通过所述第一导电层的未图案化部分连续地连接至所述第一导电层的第一部分，并且与所述第一导电层的第二部分断开连接。