[发明专利]具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法。

背景技术

晶体管是现代集成电路的关键组件。为满足逐渐更快速度的要求，晶体管的驱动电流需要逐渐增大。由于晶体管的驱动电流与晶体管的栅极宽度成比例，因此优选具有更大宽度的晶体管。

然而，栅极宽度的增加与减小半导体器件的尺寸的要求相冲突。因此开发出了鳍式场效应晶体管（FinFET）。

FinFET的引入具有在不占用更多片上面积的情况下增加驱动电流的有利特点。然而，FinFET晶体管的小尺寸引起了在它们的制造和生产期间的各种问题。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：

在衬底上方延伸的第一半导体鳍；

位于所述第一半导体鳍上的第一源极区，所述第一源极区具有第一宽度；以及

位于所述第一半导体鳍上的第一漏极区，所述第一漏极区具有不同于所述第一宽度的第二宽度。

在可选实施例中，所述第一宽度大于所述第二宽度。

在可选实施例中，所述第一宽度比所述第二宽度大大约1.2至大约5倍。

在可选实施例中，所述半导体器件还包括：位于所述第一源极区上方并与所述第一源极区电连接的第一源极接触部，所述第一源极接触部具有第三宽度；以及，位于所述第一漏极区上方并与所述第一漏极区电连接的第一漏极接触部，所述第一漏极接触部具有不同于所述第三宽度的第四宽度。

在可选实施例中，所述第三宽度比所述第四宽度大大约1.2至大约5倍。

在可选实施例中，所述第一源极接触部和所述第一漏极接触部包括选自基本上由铝、铜、钨和它们的组合所组成的组中的材料。

在可选实施例中，所述第一源极区和所述第一漏极区都包括外延层。

在可选实施例中，所述半导体器件还包括位于所述第一半导体鳍上方的第一栅极，其中，所述第一栅极置于所述第一源极区和所述第二源极区之间。

在可选实施例中，所述半导体器件还包括：在所述衬底上方延伸的第二半导体鳍，所述第二半导体鳍与所述第一半导体鳍平行；位于所述第二半导体鳍上的第二源极区，所述第二源极区具有所述第一宽度；位于所述第二半导体鳍上的第二漏极区，所述第二漏极区具有所述第二宽度；以及，位于所述第二半导体鳍上方的第二栅极，其中，所述第二栅极置于所述第二源极区和所述第二漏极区之间。

在可选实施例中，所述半导体器件还包括：位于所述第二源极区上方并与所述第二源极区电连接的第二源极接触部，所述第二源极接触部具有第三宽度；以及，位于所述第二漏极区上方并与所述第二漏极区电连接的第二漏极接触部，所述第二漏极接触部具有大于所述第三宽度的第四宽度。

根据本发明的另一方面，还提供了一种FinFET器件，包括：

在衬底上方延伸的多个第一鳍；

位于所述多个第一鳍上的第一源极区，所述第一源极区具有第一宽度；

位于所述多个第一鳍上的第一漏极区，所述第一漏极区具有第二宽度；

位于所述第一源极区上方并与所述第一源极区电连接的第一源极接触部，所述第一源极接触部具有第三宽度；以及

位于所述第一漏极区上方并与所述第一漏极区电连接的第一漏极接触部，所述第一漏极接触部具有小于所述第三宽度的第四宽度。

在可选实施例中，所述第三宽度比所述第四宽度大大约1.2至大约5倍。

在可选实施例中，所述第一宽度比所述第二宽度大大约1.2至大约5倍。

在可选实施例中，所述FinFET器件还包括：在所述衬底上方延伸的多个第二鳍，所述多个第二鳍与所述多个第一鳍平行；位于所述多个第二鳍上的第二源极区，所述第二源极区具有所述第一宽度；以及，位于所述多个第二鳍上的第二漏极区，所述第二漏极区具有所述第二宽度。

在可选实施例中，所述FinFET器件还包括：位于所述第二源极区上方并与所述第二源极区电连接的第二源极接触部，所述第二源极接触部具有所述第三宽度；以及，位于所述第二漏极区上方并与所述第二漏极区电连接的第二漏极接触部，所述第二漏极接触部具有所述第四宽度。

在可选实施例中，所述FinFET器件还包括：位于所述多个第一鳍上方的第一栅极，其中，所述第一栅极置于所述第一源极区和所述第一漏极区之间；以及，位于所述多个第二鳍上方的第二栅极，其中，所述第二栅极置于所述第二源极区和所述第二漏极区之间。