[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置及其制造方法，尤其涉及在TFT电路中使用了氧化物半导体的显示装置及其制造方法。

背景技术

在移动电话、便携信息终端(PDA)、数码相机、多媒体播放器等很多便携式信息设备的显示装置中，利用了液晶模块(液晶显示装置)、有机电致发光显示装置等各种显示装置。

这些显示装置中，由玻璃或树脂形成的绝缘基板被利用于显示面板的一部分，在该绝缘基板的表面形成薄膜晶体管(TFT)，作为驱动各像素电极的开关元件而使用。

在绝缘基板上，TFT以及传输用于驱动TFT的信号的数据线、经由TFT向像素电极传输信号的栅极线等，例如在玻璃基板等绝缘基板上，使用光致抗蚀剂等的抗蚀剂膜，通过光刻技术进行的选择蚀刻形成为微细的规定的图案形状。

对于采用上述结构的显示装置，为了挠性化以及低成本化，期望减少层叠膜数、减少光刻技术的选择蚀刻的工序数等。进而，要求也要兼顾作为显示装置的重要的显示性能之一的像素的开口率的提高。

并且，近年来，为了应对上述的期望，采用作为形成TFT的沟道部分的半导体层而使用氧化物半导体层、并将由导电膜形成的数据线以及像素电极与该氧化物半导体层直接连接的技术。

关于上述技术，在日本特开2009-99887号公报中，在基板上形成栅极线、栅极绝缘膜，在其上部形成数据线、像素电极、氧化物半导体层，并且，氧化物半导体层与像素电极、数据线直接连接，像素电极和数据线由不同的导电膜形成。

然而，在日本特开2009-99887号公报的结构中，由于覆盖数据线地形成氧化物半导体层，因此在数据线的台阶部与氧化物半导体层接触的位置容易发生氧化物半导体层的断线。另外，由于在构造上像素电极以及氧化物半导体层的加工是在形成数据线之后进行的，因此在通过蚀刻形成像素电极以及氧化物半导体层时，发生因蚀刻液而导致的数据线的溶解、腐蚀等，结果，数据线断线、显示装置的显示性能显著降低的可能性变高。

发明内容

本发明要解决的课题是，解决上述的问题，提供一种能实现制造显示装置时的层叠膜数以及蚀刻工序的减少、还能实现像素的开口率的提高的使用了氧化物半导体层的显示装置及其制造方法。

为了解决上述课题，本发明具有以下这样的技术特征。

(1)一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着所述氧化物半导体的沟道区域并且分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖所述漏电极以及源电极的层间电容膜、在所述层间电容膜上形成的公共电极、以及与所述公共电极相对地形成并与所述源电极连接的像素电极，其特征在于，在所述氧化物半导体与所述漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，所述漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，所述漏电极以及源电极与所述氧化物半导体直接接触。

(2)在上述(1)所述的显示装置中，其特征在于，在俯视观察时观察到所述氧化物半导体的全部与所述栅电极重叠，所述源电极以及所述像素电极由同一透明导电膜一体地形成。

(3)在上述(1)所述的显示装置中，其特征在于，所述源电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，所述像素电极由构成所述源电极的所述金属膜形成，所述源电极和所述像素电极连续地形成。

(4)一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着所述氧化物半导体的沟道区域并且分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖所述漏电极以及源电极的保护绝缘膜、与所述源电极连接的下部电极、在所述下部电极上形成的有机EL元件、以及覆盖所述有机EL元件地形成的上部电极，其特征在于，在所述氧化物半导体与所述漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，所述漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，所述漏电极以及源电极与所述氧化物半导体直接接触。

(5)在上述(4)所述的显示装置中，其特征在于，所述源电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，所述下部电极由构成所述源电极的所述金属膜形成，所述源电极和所述下部电极连续地形成，所述上部电极由透明导电膜形成。

(6)在上述(4)所述的显示装置中，其特征在于，所述源电极以及所述下部电极由同一透明导电膜一体地形成，所述上部电极由金属膜形成。

(7)在上述(1)至(6)的任一项所述的显示装置中，其特征在于，形成所述源电极以及漏电极的所述透明导电膜的厚度为10nm以上且100nm以下。