[发明专利]一种四元发光二极管的衬底结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种衬底结构，具体是一种四元发光二极管的衬底结构，属于半导体技术领域。

背景技术

衬底或称基底，大多由氮化物、蓝宝石或砷化镓制备完成，其主要功能是为复杂结构的半导体提供与外延层晶格、热膨胀系数和化学稳定性匹配的附着点，利于成核和长晶。

现有的四元发光二极管的衬底结构多采用砷化镓材料制备完成，砷化镓虽然可与四元外延层晶格匹配，但其呈现黑灰色不透明状，严重影响发光二极管发光层的出光效率，并且砷化镓材料易碎，会造成成本的损失，其本身具有很强的毒性，在发光二极管的制备过程中，对人体的危害较大。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明提供一种四元发光二极管的衬底结构，提高四元发光二极管的出光率，且具有良好的韧性，不易破碎，对人体没有危害。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种四元发光二极管的衬底结构，包括反射镜层，反射镜层由非金属层和金属层构成，非金属层设于金属层上表面。                                                                              

进一步，非金属层的两对边分别开设三个矩形缝隙，保证非金属层上方的外延层和金属层接触，非金属层采用二氧化硅材料制成，二氧化硅具有高的反射率，提高四元发光二极管的出光率。

进一步，金属层由锌金层和钼基板层组成，锌金层设于钼基板层上表面，锌金是具有良好的欧姆接触性能的材料，钼基板韧性好。

本发明的有益效果是：生长反射镜层，反射镜层由非金属层和金属层构成，非金属层可以将四元外延层下方的光反射出去，提高四元发光二极管的出光效率，金属层不仅有反射光的作用，且具有良好的韧性，芯片不易破碎，降低了成本的损失，反射镜层代替了砷化镓衬底，避免了对人体的伤害。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明的金属层的结构示意图；

图3为本发明的非金属层的俯视图。

图中：1、反射镜层，2、非金属层，3、金属层，4、锌金层，5、钼基板层，6、矩形缝隙。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，一种四元发光二极管的衬底结构，包括反射镜层1，反射镜层1由非金属层2和金属层3构成，非金属层2设于金属层3上表面。  

如图1和图3所示，进一步，非金属层2的两对边分别开设三个矩形缝隙6，保证非金属层2上方的外延层和金属层3接触，非金属层2采用二氧化硅材料制成，二氧化硅具有高的反射率，提高四元发光二极管的出光率。

如图2所示，进一步，金属层3由锌金层4和钼基板层5组成，锌金层4设于钼基板层5上表面，锌金是具有良好的欧姆接触性能的材料，钼基板韧性好。

生长反射镜层1，反射镜层1由非金属层2和金属层3构成，非金属层2可以将四元外延层下方的光反射出去，提高四元发光二极管的出光效率，金属层3不仅有反射光的作用，且具有良好的韧性，芯片不易破碎，降低了成本的损失，反射镜层1代替了砷化镓衬底，避免了对人体的伤害。