[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310237598.1 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241193B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、超低k介电层、低k过渡层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层；
图案化所述金属硬掩膜层，以在所述金属硬掩膜层中形成开口；
在所述开口的底部和侧壁以及所述金属硬掩膜层上形成氧化物保护层；
在所述氧化物保护层上形成图案化的光刻胶层；
根据所述图案化的光刻胶层依次刻蚀所述氧化物保护层、所述氧化物硬掩膜层、所述低k过渡层和所述超低k介电层，以形成沟槽。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述氧化物保护层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物保护层的材料为碳氧化硅，所述氧化物保护层的厚度为1nm至4nm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在根据所述图案化的光刻胶层进行刻蚀形成所述沟槽之后去除所述图案化的光刻胶层的步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括在去除所述图案化的光刻胶层之后根据所述开口依次刻蚀所述氧化物保护层、所述氧化物硬掩膜层、所述低k过渡层、所述超低k介电层和所述刻蚀停止层的步骤。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，采用一体化刻蚀工艺进行刻蚀。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜层的材料为正硅酸乙酯。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的材料为氮化钛。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述图案化的光刻胶层之后进行显影后检查工艺的步骤。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述开口之后执行湿法清洗的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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