[发明专利]环形压敏电阻器瓷料、制备方法与环形压敏电阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种环形压敏电阻器瓷料，其特征在于，按摩尔百分比计，包括：

钛酸锶          30～50mol%；

钛酸钙          15～35mol%；

钛酸铅          20～40mol%；

五氧化二铌      1～3mol%；

氧化镧          0.1～1mol%；

三氧化二钴      0.1～1.5mol%；及

二氧化钛        1～4mol%。

2.根据权利要求1所述的环形压敏电阻器瓷料，其特征在于，按摩尔百分比计，包括：

钛酸锶             50mol%；

钛酸钙             25mol%；

钛酸铅             20mol%；

五氧化二铌         3mol%；

氧化镧             0.5mol%；

三氧化二钴         0.5mol%；及

二氧化钛           1mol%。

3.一种环形压敏电阻器瓷料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将钛酸锶、钛酸钙、钛酸铅、五氧化二铌、氧化镧、三氧化二钴及二氧化钛进行混合得到混合物，所述混合物中，按摩尔百分比计，所述钛酸锶占30～50mol%、所述钛酸钙占15～35mol%、所述钛酸铅占20～40mol%、所述五氧化二铌占1～3mol%、所述氧化镧占0.1～1mol%、所述三氧化二钴占0.1～1.5mol%、所述二氧化钛占1～4mol%；

按质量比1:1将所述混合物和去离子水进行混合，持续混合18～30小时后得到浆料，将所述料浆进行研磨，向所述研磨后的浆料加入聚乙烯醇胶水，搅拌均匀后，对所述浆料和聚乙烯醇胶水的混合物进行喷雾造粒，得到环形压敏电阻器瓷料，其中所述浆料和聚乙烯醇胶水的质量比为5:1。

4.根据权利要求3所述的环形压敏电阻器瓷料的制备方法，其特征在于，所述对所述料浆进行研磨，向所述研磨后的浆料加入聚乙烯醇胶水的步骤中，对所述料浆进行研磨使所述浆料的粒度D50值小于或等于1微米，然后按质量比5:1向所述研磨后的浆料加入聚乙烯醇胶水。

5.一种环形压敏电阻器，包括环形压敏电阻基片及间隔设置于所述环形压敏电阻基片的一个底面上的三个正面电极或间隔设置于所述环形压敏电阻基片的侧面上的三个侧面电极，其特征在于，所述环形压敏电阻基片由权利要求1或2所述的环形压敏电阻器瓷料制成。

6.一种环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供如权利要求1或2所述的环形压敏电阻器瓷料，将所述环形压敏电阻器瓷料压制形成环形陶瓷生坯；

在还原气氛中，将所述环形陶瓷生坯于1300～1450℃下烧结2～6小时，得到环形陶瓷片，然后在空气环境中，将所述环形陶瓷片于800～1000℃保温2～5小时，得到环形压敏电阻基片；

在所述环形压敏电阻基片的一个底面上或侧面上涂覆电极浆料，将电极浆料烘干后，在保护气体氛围中，将所述涂覆有电极浆料的环形压敏电阻基片于810～900℃下烧渗0.5～1.5小时，形成间隔设置于所述环形压敏电阻基片的一个底面上的三个正面电极或间隔设置于所述环形压敏电阻基片的侧面上的三个侧面电极，得到环形压敏电阻器。

7.根据权利要求6所述的环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，将所述环形压敏电阻器瓷料压制形成环形陶瓷体的步骤具体为：采用干压成型工艺将如权利要求1或2所述的环形压敏电阻器瓷料压制成环形陶瓷粗坯，然后对所述环形陶瓷粗坯进行排胶，得到环形陶瓷生坯。

8.根据权利要求7所述的环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述环形陶瓷粗坯的密度为3.25～3.45g/cm³。

9.根据权利要求7所述的环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述排胶的温度为550～590℃，排胶周期为20～30小时。

10.根据权利要求6所述的环形压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述还原气氛为氮气和氢气的混合气氛，所述氮气和氢气的体积比为R，1≤R≤99。