[发明专利]半导体鳍状结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体鳍状结构的形成方法，至少包含以下步骤：

提供一基底；

形成多个鳍状结构、多个第一虚置鳍状结构以及多个第二虚置鳍状结构于该基底上；

以一第一图案化光致抗蚀剂当做一掩模，并且进行一第一蚀刻步骤，以移除各该第一虚置鳍状结构；

在该第一蚀刻步骤之后，以一第二图案化光致抗蚀剂当做一掩模，并且进行一第二蚀刻步骤，以移除各该第二虚置鳍状结构，其中该第一图案化光致抗蚀剂的图案密度较该第二图案化光致抗蚀剂的图案密度高。

2.如权利要求1的形成方法，其中该形成方法还包括形成一第一绝缘层于该基底上，并位于各该鳍状结构之间。

3.如权利要求1的形成方法，其中还包括形成一掩模层位于该第一绝缘层上，并覆盖各该鳍状结构。

4.如权利要求1的形成方法，其中在该第二蚀刻步骤之后，还包括形成一第二绝缘层于该基底上。

5.如权利要求4的形成方法，还包括对该第二绝缘层进行一平坦化制作工艺。

6.如权利要求1的形成方法，其中还包括在进行该第一蚀刻步骤前，形成一第一介电层于各该鳍状结构与各该第一图案化光致抗蚀剂之间。

7.如权利要求6的形成方法，其中该第一介电层为单层结构或多层结构。

8.如权利要求1的形成方法，其中还包括在进行该第一蚀刻步骤与进行该第二蚀刻步骤之间，形成一第二介电层于各该鳍状结构与各该第二图案化光致抗蚀剂之间。

9.如权利要求8的形成方法，其中该第二介电层为单层结构或多层结构。

10.如权利要求1的形成方法，其中该第一蚀刻步骤还蚀刻位于各该第一虚置鳍状结构下方的该基底，且形成多个宽短鳍状结构于该基底上。

11.如权利要求10的形成方法，其中该第二蚀刻步骤蚀刻部分的该宽短鳍状结构，并形成多个凸块于该基底上。

12.一种半导体鳍状结构，包含：

细长鳍状结构；

宽短鳍状结构连接该细长鳍状结构与一基底；

第一绝缘层位于该宽短鳍状结构侧边；以及

第二绝缘层介于该细长鳍状结构与该第一绝缘层之间，且位于该宽短鳍状结构上方，

其中，该第一绝缘层的侧边与第二绝缘层的侧边接触，其第一绝缘层的顶面高于该细长鳍状结构的顶面。

13.如权利要求12的半导体鳍状结构，其中该第二绝缘层的切边与该宽短鳍状结构的侧边切齐。

14.如权利要求12的半导体鳍状结构，其中该第一绝缘层包括氧化硅或氮化硅。

15.如权利要求12的半导体鳍状结构，其中该第二绝缘层包括氧化硅或氮化硅。

16.如权利要求12的半导体鳍状结构，其中该基底上还包括多个间隔排列的凸块。