[发明专利]一种能减低位错密度的LED芯片生长方法在审
| 申请号： | 201310238927.4 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241472A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 朱忠才;赵强 | 申请（专利权）人： | 江苏稳润光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减低 密度 led 芯片 生长 方法 | ||
1.一种能减低位错密度的LED芯片，具体结构包括以下部分：
金属热沉厚度大于50微米，表面平整，金属热沉上直接生长N型GaN；
金属热沉下面是反射层，反射层逐层由Ni、Ag、Ti、Au金属组成，Ni联结Ag和透明电极；
反射层下面为透明N型电极，透明N型电极为氧化的Ni和Au组成；
透明N型电极下面是缓冲层；
在金属热沉上生长N型GaN；
在N型GaN上生长有源层，有源层采用多量子阱结构；
有源层上面为P型GaN
P型GaN上面为P型电极，P型电极和P型GaN之间为欧姆接触。
2.一种能减低位错密度的LED芯片的制备方法，具体包括以下步骤：
(1)在C面蓝宝石衬底上生长GaN缓冲层；
(2)在GaN缓冲层上蒸镀透明N型电极Ni/Au；
(3)在透明N型电极上蒸镀Ni/Ag/Ti/Au反射层；
(4)在反射层上生长一层厚度在50μm以上的金属层；利用干法刻蚀技术将这层金属层制备成平整的、周期性的金属热沉单元，间隔100-200μm；
(5)在金属热沉上外延生长N型GaN；
(6)在N型GaN上生长有源层，采用四元AlInGaN作为多量子阱层材料；
(7)在有源层上生长P型GaN；
(8)在P型GaN上生长P型电极。
3.根据权利要求2所述的能减低位错密度的LED芯片的制备方法，其特征在于：镀反射层Ni/Ag/Ti/Au，总厚度在100-200nm，彼此间相互连接，形成导电网络。
4.根据权利要求2所述的能减低位错密度的LED芯片的制备方法，其特征在于反射层上电镀平整的、周期性的金属热沉单元，厚度50μm，单元间间距为100-200μm。
5.根据权利要求2所述的能减低位错密度的LED芯片的制备方法，其特征在于：用CF4处理P型GaN表面，选择Ti/Al/Ni/Au多层结构，总厚度在300-1000nm，得到非合金化的P型GaN的欧姆接触。
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