[发明专利]反应腔室以及设置有该反应腔室的半导体处理设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括：反应腔，以及覆盖于所述反应腔顶端的反应腔上盖，其特征在于，所述反应腔包括：

呈桶状的金属腔体，与所述反应腔上盖密封连接；

嵌套于所述金属腔体内的石英筒，设置在所述石英筒的外壁的感应加热线圈；以及，

嵌套于所述石英筒内的带孔石墨筒。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括：设置在所述金属腔体底壁上的第一支撑结构，

所述石英筒与带孔石墨筒设置在所述第一支撑结构上，所述石英筒和带孔石墨筒均与所述反应腔上盖之间保留有间隙。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，

所述第一支撑结构的顶部设置有两个弧形缺口，所述石英筒与带孔石墨筒分别置于所述弧形缺口内，且所述带孔石墨筒与所述石英筒均与所述弧形缺口的侧面保留有间隙。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括：

筒状隔热层，

及第二支撑结构，所述第二支撑结构位于所述金属腔体的内侧壁上用于支撑所述筒状隔热层以使所述筒状隔热层位于所述金属腔体和所述石英筒之间。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，

所述第二支撑结构与所述金属腔体一体成型。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，

在所述反应腔上盖的边缘和中央位置还分别设置有相互不连通的环状水冷槽，分别用于冷却密封圈和进气系统，所述密封圈设置在所述反应腔上盖和所述金属腔体之间，用于使所述金属腔体和反应腔上盖密封连接，所述进气系统设置在所述反应腔上盖的中央位置，用于向反应腔内输入工作气体。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，

在所述金属腔体的底壁、侧壁和所述侧壁的顶端还分别设置有相互不连通的环状水冷槽，其中，

位于所述金属腔体的底壁的环状水冷槽用于冷却位于所述金属腔体外部底端的磁流体，所述磁流体用于向旋转系统提供动力，所述旋转系统用以使反应腔室内的石墨托盘进行旋转；

位于所述金属腔体的侧壁的环状水冷槽用于冷却所述金属腔体；

位于所述金属腔体的侧壁的顶端的环状水冷槽用于冷却所述密封圈，所述密封圈设置在所述反应腔上盖和所述反应腔的金属腔体之间，用于使所述金属腔体和反应腔上盖密封连接。

8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，

对所述金属腔体的内表面进行抛光处理，或者在所述金属腔体的内表面设置有反射层。

9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括：

设置在所述反应腔内的多层石墨托盘，

第一保温层和第二保温层，分别设置在所述多层石墨托盘的顶端和底端用于使得多层石墨托盘温度分布均匀。

10.一种半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备包括权利要求1-9任一项所述的反应腔室。

11.根据权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述半导体处理设备为金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备。