[发明专利]薄膜晶体管的沟道形成方法及补偿电路

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 

提供基板，在所述基板上形成非晶硅层； 

对所述非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形，其中所述多晶硅图形中的每一非晶硅层均为弯折结构； 

在每一非晶硅层形成两断开空间，所述两断开空间分别形成于所述非晶硅层的相邻的弯折部位； 

对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于每一断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着对应的断开空间方向生长，并在所述断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。 

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述断开空间包括第一断开空间和第二断开空间，所述非晶硅层包括相邻的第一平层和第二平层，所述第一平层和第二平层相互弯折； 

其中所述第一断开空间形成于所述第一平层，所述第二断开空间形成于所述第二平层。 

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，每一断开空间沿一长度方向延伸，该断开空间具有一 与所述长度方向垂直的宽度，所述宽度的范围为1～3微米。 

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述沟道包括对应所述第一断开空间的第一结晶单元，以及对应所述第二断开空间的第二结晶单元；所述第一结晶单元包括第一结晶区和第二结晶区，所述第二结晶单元包括第三结晶区和第四结晶区； 

其中所述第一结晶区和第二结晶区中的晶粒边界均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直；所述第三结晶区和第四结晶区中的晶粒边界均与所述第三结晶区和第四结晶区之间的界面垂直。 

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述激光的扫描方向与所述长度方向垂直或者平行。 

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述断开空间沿一长度方向延伸，所述激光的扫描方向与所述长度方向的夹角为0至90度。 

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的沟道形成方法，其特征在于，所述激光的扫描间距的范围为0-30微米。 

8.一种补偿电路，其特征在于，包括至少一个的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板以及形成于所述基板上的沟道；其中所述沟道为弯折结构，包括有第一结晶单元和第二结晶单元； 

所述第一结晶单元和所述第二结晶单元位于所述沟道相邻 的弯折部件上，所述第一结晶单元包括第一结晶区和第二结晶区，所述第二结晶单元包括第三结晶区和第四结晶区； 

其中所述第一结晶区和所述第二结晶区中的晶粒边界均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直；所述第三结晶区和所述第四结晶区中的晶粒边界均与所述第三结晶区和第四结晶区之间的界面垂直。 

9.根据权利要求8所述的补偿电路，其特征在于：所述第一结晶区和所述第二结晶区由处于同一断开空间两侧的非晶硅层经激光照射形成，所述断开空间沿一长度方向延伸，该断开空间的宽度与所述长度方向垂直，所述宽度的范围为1～3微米。 

10.根据权利要求8所述的补偿电路，其特征在于：所述第三结晶区和所述第四结晶区由处于同一断开空间两侧的非晶硅层经激光照射形成，所述断开空间沿一长度方向延伸，该断开空间的宽度与所述长度方向垂直，所述宽度的范围为1～3微米。