[发明专利]大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法有效

专利信息
申请号: 201310239549.1 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN103320869A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 姜本学;张龙;范金太;毛小建;司继良 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B33/00 分类号: C30B33/00;C23C24/10
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 口径 蓝宝石 晶体 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及高功率固体激光,特别是一种大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法。

背景技术

在以掺钛蓝宝石晶体为增益介质的高功率固体激光装置中,为了获得大能量激光脉冲输出需要采用大口径高掺杂浓度活性离子的掺钛蓝宝石晶体,但这样的掺钛蓝宝石晶体却更容易产生横向自发辐射放大效应(ASE),这一效应的存在使激光放大变得非常困难,也成为了提高掺钛蓝宝石晶体固体激光器增益的技术瓶颈。

现有的技术主要靠有机油墨或热熔树脂掺杂碳粉制成包边材料进行包边处理,所用的包边材料均为有机材料,热稳定性差,同时由于有机物的折射率很难达到与蓝宝石折射率的完全一致匹配,所以需要寻求更好的能够抑制横向自发辐射放大效应的包边方法。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,克服在先技术采用有机油墨或热熔树脂掺杂碳粉进行包边造成的热稳定性差和折射率难于完全一致匹配的问题,提供一种大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法,该方法采用掺钛蓝宝石晶体同质材料进行包边,从而达到折射率和热稳定性的完全匹配,从而满足高功率超短脉冲激光装置应用。可吸收800nm横向自发辐射光,以抑制大口径掺钛蓝宝石晶体的ASE效应。

本发明的技术解决方案如下:

一种大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法,其特点在于该方法的具体步骤如下:

<1>包边陶瓷材料的结构为Crx,Fey,Cuz:Al2(1-x-y-z)O3,x,y,z的取值范围为:0≤x,y,z≤0.1且0.01<x+y+z,选定x,y,z的值后,将氧化铝、氧化铬、氧化铁、氧化铜的超细粉体按Crx,Fey,Cuz:Al2(1-x-y-z)O3的摩尔比称量,通过球磨混合形成混合粉体;

<2>将所述的混合粉体通过流延成型制备成薄膜,然后将上述薄膜缠绕在大口径掺钛蓝宝石晶体周边形成包边,包边厚度为1~10mm,构成胚体;

<3>将所述的胚体放入真空烧结炉中或者氢气气氛烧结炉中,升温至1700~1850℃,保温3~20小时,然后得到包边大口径掺钛蓝宝石晶体。

本发明的技术效果:

1、在先的采用有机油墨或热熔树脂掺杂碳粉进行包边的技术,热稳定性差和折射率难于完全一致匹配的问题。本发明与在先的大口径掺钛蓝宝石晶体包边技术相比,具有同质包边折射率完全一致、热导率高、结合牢固等优点,能够更好的抑制横向自发辐射放大效应,本发明适宜批量生产,能够满足激光技术迅猛发展的市场需求,具有良好的经济效益。

2、通过前期的研究发现,在氧化铝中掺入铬、铁、铜等过渡金属离子可以实现在800nm处有较强的吸收。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明,但不应以此限制本发明保护范围。

实施例1:

按照分子式Crx,Fey,Cuz:Al2(1-x-y-z)O3进行原料配比,取值x=0.1,y=0,z=0,将超细氧化铝和氧化铬粉体称量,通过球磨混合;将粉体通过流延成型制备成薄膜,然后将上述薄膜缠绕在大口径掺钛蓝宝石晶体周边形成包边,包边厚度按照需要取1mm。将所述包边样品放入真空烧结炉中,升温至1800℃,保温20小时,得到包边大口径掺钛蓝宝石晶体,此包边材料可以大幅度改善横向的ASE效应。

实施例2:

按照分子式Crx,Fey,Cuz:Al2(1-x-y-z)O3进行原料配比,取值x=0,y=0.02,z=0.01,将超细氧化铝、氧化铁和氧化铜粉体称量,通过球磨混合;将粉体通过流延成型制备成薄膜,然后将上述薄膜缠绕在大口径掺钛蓝宝石晶体周边形成包边,包边厚度按照需要取5mm。将所述包边样品放入氢气气氛烧结炉中,升温至1850℃,保温15小时,得到包边大口径掺钛蓝宝石晶体,此包边材料可以大幅度改善横向的ASE效应。

实施例3:

按照分子式Crx,Fey,Cuz:Al2(1-x-y-z)O3进行原料配比,取值x=0.05,y=0.02,z=0.01,将超细氧化铝和氧化铬、氧化铁、氧化铜粉体称量,通过球磨混合;将粉体通过流延成型制备成薄膜,然后将上述薄膜缠绕在大口径掺钛蓝宝石晶体周边形成包边,包边厚度按照需要取3mm。将所述包边样品放入真空烧结炉中,升温至1700℃,保温20小时,得到包边大口径掺钛蓝宝石晶体,此包边材料可以大幅度改善横向的ASE效应。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所,未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310239549.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top