[发明专利]人工磁导体地面无效

专利信息
申请号: 201310239553.8 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN103346408A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 邱景辉;刘浩;陈立甲;刘圣英 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;E04F15/06
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 高媛
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 人工 导体 地面
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种人工磁导体地面。

背景技术

在过去的几十年中,电磁能隙(EBG)结构已经被应用微波工程的很多方面,例如带阻滤波器,谐振器和提高放大器的效率。在此基础上,研究学者提出了一种新型的电磁能隙结构,这种结构包括了金属反射平面和相同的金属贴片单元阵列,被称为人工磁导体(ACM)。由于无线电系统的小型化和集成化需求,系统天线被要求提高其辐射增益并且降低近场耦合,人工磁导体由于其具有高表面电阻,可以充分的满足系统要求。人工磁导体在低剖面方面有着很大的应用前景,例如用作单臂螺旋天线和微带天线的地板,传统的金属地板,天线需要和地板之间间隔λ/4的距离,人工磁导体地面可以有效的减小该距离。

但是现有的人工磁导体存在带宽指标低、天线方向图后瓣辐射大的问题。

发明内容

本发明为解决现有的人工磁导体存在带宽指标低、天线方向图后瓣辐射大的问题,进而提供了一种人工磁导体地面。

本发明为解决上述技术问题采取的技术方案是:本发明的人工磁导体地面由多个人工磁导体单元构成,多个人工磁导体单元矩阵排布设置,每个人工磁导体单元包括第一层金属板、第二层金属板、第三层金属板、第一介质层和第二介质层;第一介质层和第二介质层构成一个长方体,第一介质层位于第二介质层的上端面上,第一介质层和第二介质层的厚度均为4~8cm之间,第一层金属板由四个第一正方形金属片构成,四个第一正方形金属片矩阵排布在第一介质层的上端面上,每个第一正方形金属片的两条边与第一介质层上端面的两条边重合,每个第一正方形金属片的边长为5~12cm,同排或同列的两个第一正方形金属片之间的最小间隔为4.5~5.5cm;

第二层金属板为正方形金属板,第二层金属板的边长为10~21cm,第二层金属板位于第一介质层和第二介质层之间,第二层金属板的四条边与第二介质层上端面的四条边依次平行;

第三层金属板为正方形金属板,第三层金属板的边长为14~29cm,第三层金属板位于第二介质层的底端面上,第三层金属板的四条边与第二介质层底端面的四条边重合;

第二介质层上竖直加工有中心通孔,中心通孔内设置有第一金属棒,第二层金属板通过第一金属棒与第三层金属板连接;每个人工磁导体单元的四条竖直边上均加工有四分之一圆柱形缺口,每个圆柱形缺口处设置有一个第二金属棒,第二金属棒的横截面为四分之一圆柱,每个第一正方形金属片通过一个第二金属棒与第三层金属板连接,第一介质层的介电常数为9,第二介质层的介电常数为1,第一层金属板、第二层金属板和第三层金属板的厚度均为0.03~0.2cm。

本发明的有益效果是:

本发明的人工磁导体地面采用双层介质加载结构,在同样导磁特性的情况下,与现有的单层介质人工磁导体相比,体积更小,从而达到了人工磁导体小型化的目的;

本发明的人工磁导体地面的工作频率为40MHz~70MHz,相对带宽达到54.4%,与现有的人工磁导体18%的相对带宽相比,大大提高了天线增益,天线增益提高了30%以上,同时能够使加载天线获得更低的剖面,在其工作频段内能够有效的降低天线方向图的后瓣,并且提高天线的增益大约2db。

本发明的人工磁导体地面在入射方向与其法线夹角小于60°时,本发明的人工磁导体地面的中心频率是非常稳定的。

附图说明

图1是本发明的具体实施方式一中人工磁导体单元的立体图,图2是本发明的具体实施方式一中第二介质层5的立体图(由上至下看),图3是本发明的具体实施方式一中第二介质层5的立体图(由下至上看),图4是本发明的具体实施方式一中人工磁导体单元的半剖视图。

具体实施方式

具体实施方式一:如图1~4所示,本实施方式的人工磁导体地面由多个人工磁导体单元构成,多个人工磁导体单元矩阵排布设置,每个人工磁导体单元包括第一层金属板1、第二层金属板2、第三层金属板3、第一介质层4和第二介质层5;第一介质层4和第二介质层5构成一个长方体,第一介质层4位于第二介质层5的上端面上,第一介质层4和第二介质层5的厚度均为4~8cm之间,第一层金属板1由四个第一正方形金属片1-1构成,四个第一正方形金属片1-1矩阵排布在第一介质层4的上端面上,每个第一正方形金属片1-1的两条边与第一介质层4上端面的两条边重合,每个第一正方形金属片1-1的边长L为5~12cm,同排或同列的两个第一正方形金属片1-1之间的最小间隔D为4.5~5.5cm;

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