[发明专利]半导体芯片的背面倒角工艺

权利要求书

1.一种半导体芯片的背面倒角工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：

（1）将芯片背面朝上放置于划片蓝膜上，去除电路芯片背部蓝膜内部气泡，小气泡用刀片刺破蓝膜将气泡赶除并压平蓝膜；

（2）将芯片于划片机上对芯片背面的边缘进行切割：

a、设定坐标系：以芯片正面中心作为原点，芯片待切割的一条边缘的垂直方向作为X轴方向，垂直于芯片背面的方向作为Z轴方向；

b、第一刀起刀点位置的确定：X轴坐标为A/2－W’，Z轴坐标为H’，其中，A为芯片的宽度，W’ 为X轴方向上第一刀的切割深度，W’=W/2～W，W为刀片的划槽宽度，H’为芯片的厚度；刀片沿Z轴方向由芯片的背面向芯片的正面进行切割，第一刀的Z轴切割深度为芯片边缘倒角的高度H，H为芯片厚度H’的1/3～1/4；

c、第n刀的起刀点位置：X轴坐标为A/2－W/2－（n－1）×W，Z轴坐标为H’；刀片沿Z轴方向由芯片的背面向芯片的正面进行切割，第n刀的Z轴切割深度为H－（n－1）×W；其中，n为大于1的整数；

d、刀片按照步骤b、步骤c所设定的起刀点和切割深度对芯片进行切割，直至Z轴切割深度≤0时，结束切割，即完成芯片一条边缘倒角的切割；

e、按步骤a～d的方法，依次对芯片的其余三条边缘进行切；

所述划片机刀片的切割速度为30～50mm/s。

2.如权利要求1所述的半导体芯片的背面倒角工艺，其特征是：经切割后的芯片采用无尘纤维纸擦拭干净，将芯片从划片蓝膜上取下，用气枪将芯片吹干。

3.如权利要求1所述的半导体芯片的背面倒角工艺，其特征是：经切割后，芯片背面边缘的倒角上形成3～5个阶梯。