[发明专利]片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法有效
申请号: | 201310239693.5 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104241174B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 郭宁 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片盒腔室 等离子体 加工 设备 方法 | ||
1.一种片盒腔室,其包括进气装置和排气装置,其中,所述进气装置包括气源、气路和第一通断阀,所述气路的进气端与所述气源连通,所述气路的出气端与所述片盒腔室的内部连通;所述第一通断阀用于接通或断开所述气路;所述气源用于经由所述气路向所述片盒腔室输送不与工件发生反应的气体;所述排气装置用于将所述气体排出所述片盒腔室,其特征在于,
所述进气装置还包括流量控制单元,用以调节所述气路的气体流量;
所述气路的出气端设置在所述片盒腔室的顶部,所述排气装置设置在所述片盒腔室的底部,以在所述片盒腔室内形成自上而下的气流;或者,所述气路的出气端和所述排气装置分别设置在所述片盒腔室的相对的两个侧壁上,以在索素和片盒腔室内形成横向的气流;或者,所述气路的出气端设置在所述片盒腔室的侧壁上,所述排气装置设置在所述片盒腔室的顶部或底部;或者,所述气路的出气端设置在片盒腔室的顶部或底部,所述排气装置设置在所述片盒腔室的侧壁上;
所述流量控制单元包括与所述第一通断阀并联的支路,在所述支路上设置有质量流量控制器和第二通断阀,其中,所述质量流量控制器用于调节其所在支路的气体流量,所述第二通断阀用于接通或断开其所在支路。
2.根据权利要求1所述的片盒腔室,其特征在于,所述进气装置还包括控制单元,所述控制单元用于控制所述第二通断阀接通其所在支路,同时控制所述第一通断阀断开其所在气路;或者,控制所述第一通断阀接通其所在气路,同时控制所述第二通断阀断开其所在支路。
3.根据权利要求1所述的片盒腔室,其特征在于,所述第二通断阀的数量为一个,且位于所述质量流量控制器的上游或下游;或者,
所述第二通断阀的数量为两个,且分别位于所述质量流量控制器的上游和下游。
4.根据权利要求1所述的片盒腔室,其特征在于,在所述气路上设置有过滤器。
5.根据权利要求1所述的片盒腔室,其特征在于,所述不与工件发生反应气体包括氮气。
6.一种等离子体加工设备,其包括依次串接的片盒腔室、传输腔室和工艺腔室,其中,所述片盒腔室用于放置片盒,所述片盒用于承载放置有多个工件的托盘;在所述传输腔室内设置有机械手,用以将待加工的工件自所述片盒腔室的片盒中取出,并传输至所述工艺腔室内,以及将已加工的工件自所述工艺腔室内取出,并传输至所述片盒腔室内的片盒中;所述工艺腔室用于对工件进行相应的工艺,其特征在于,所述片盒腔室采用了权利要求1-5任意一项所述的片盒腔室。
7.一种片盒腔室的吹扫方法,其特征在于,所述片盒腔室为权利要求1-5中任一所述的片盒腔室,包括以下步骤:
S1,在将承载有待加工的工件的片盒放置于所述片盒腔室内之后,对所述片盒腔室进行抽真空,以使其腔室压力保持在预设的第一腔室压力值以下;
S2,断开第一通断阀,接通第二通断阀,向所述片盒腔室通入不与工件发生反应的气体,同时自所述片盒腔室排出该气体,且使所述片盒腔室的腔室压力保持在预设的第二腔室压力值以下;
S3,自所述片盒腔室将所述待加工的工件输送至工艺腔室内,并开始对所述工艺腔室内的工件进行工艺;
S4,待所有的工件完成工艺,并均被传输至所述片盒腔室内的片盒中之后,停止自所述片盒腔室排出所述气体,接通第一通断阀,断开第二通断阀,并继续向所述片盒腔室通入所述气体直至所述片盒腔室的腔室压力达到大气压力;
S5,卸载所述片盒腔室内的片盒。
8.根据权利要求7所述的片盒腔室的吹扫方法,其特征在于,在完成步骤S1之后,且在进行步骤S2之前,判断所述片盒腔室的腔室压力是否在所述第一腔室压力值以下,若是,则进入步骤S3;若否,则发出报警。
9.根据权利要求7所述的片盒腔室的吹扫方法,其特征在于,在步骤S3中,在向所述片盒腔室内通入所述气体之后,判断所述片盒腔室的腔室压力是否在所述第二腔室压力值以下,若否,则发出报警。
10.根据权利要求7所述的片盒腔室的吹扫方法,其特征在于,所述第二腔室压力值为0.2T。
11.根据权利要求7所述的片盒腔室的吹扫方法,其特征在于,所述第一腔室压力值为0.1T。
12.根据权利要求7所述的片盒腔室的吹扫方法,其特征在于,在步骤S2中,所述气体的流量范围在50~200sccm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造