[发明专利]发光元件、发光器件以及电子器具有效
申请号: | 201310240070.X | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN103354275A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 铃木恒德;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 器件 以及 电子 器具 | ||
1.一种发光器件,包括:
阳极;
在所述阳极上的第一层,该第一层包括第一发光有机化合物;
在所述第一层上的第二层;
在所述第二层上的电子传输层;以及
在所述电子传输层上的阴极,
其中所述第二层能够将从所述阴极注入且穿过所述电子传输层的电子的移动速度变慢。
2.根据权利要求1的发光器件,
其中所述第一层的电子传输性高于空穴传输性。
3.根据权利要求1的发光器件,
其中所述第一层还包括第二有机化合物,所述第一发光有机化合物分散在所述第二有机化合物中,以及
其中所述第二有机化合物具有高于空穴传输性的电子传输性。
4.根据权利要求1的发光器件,
其中所述第二层包括分散在第四有机化合物中的第三有机化合物,以及
其中所述第四有机化合物具有高于空穴传输性的电子传输性。
5.根据权利要求4的发光器件,
其中所述电子移动的速度由在所述第二层中的第三有机化合物的俘获电子的功能变慢。
6.根据权利要求1的发光器件,
其中所述第二层接触于所述第一层。
7.一种包括根据权利要求1的发光器件的照明装置。
8.一种包括根据权利要求1的发光器件的电子器具。
9.一种发光器件,包括
阳极;
在所述阳极上的空穴传输层;
在所述空穴传输层上的第一层,该第一层包括第一发光有机化合物;
在所述第一层上的第二层;
在所述第二层上的电子传输层;以及
在所述电子传输层上的阴极,
其中所述第二层能够抑制从所述阴极注入且穿过所述电子传输层的电子到达所述第一层。
10.根据权利要求9的发光器件,
其中所述第一层的电子传输性高于空穴传输性。
11.根据权利要求9的发光器件,
其中所述第一层还包括第二有机化合物,所述第一发光有机化合物分散在所述第二有机化合物中,以及
其中所述第二有机化合物具有高于空穴传输性的电子传输性。
12.根据权利要求9的发光器件,
其中所述第二层包括分散在第四有机化合物中的第三有机化合物,以及
其中所述第四有机化合物具有高于空穴传输性的电子传输性。
13.根据权利要求12的发光器件,
其中由在所述第二层中的所述第三有机化合物的俘获电子的功能抑制所述电子到达所述空穴传输层。
14.根据权利要求9的发光器件,
其中所述第二层接触于所述第一层。
15.一种包括根据权利要求9的发光器件的照明装置。
16.一种包括根据权利要求9的发光器件的电子器具。
17.一种发光器件,包括
阳极;
在所述阳极上的第一层,该第一层包括第一发光有机化合物和具有电子传输性的第二有机化合物;
在所述第一层上的第二层,该第二层包括第三有机化合物和第四有机化合物;
在所述第二层上的电子传输层;以及
在所述电子传输层上的阴极,
其中所述第三有机化合物能够俘获从所述阴极注入且穿过所述电子传输层的电子。
18.根据权利要求17的发光器件,
其中所述第一层的电子传输性高于空穴传输性。
19.根据权利要求17的发光器件,
其中所述第一发光有机化合物分散在所述第二有机化合物中。
20.根据权利要求17的发光器件,
其中所述第三有机化合物分散在所述第四有机化合物中,以及
其中所述第四有机化合物具有高于空穴传输性的电子传输性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310240070.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:传输块分段传输的设备和方法
- 下一篇:珀尔帖模块的制造工艺及珀尔帖模块
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择