[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种处理基板的基板处理方法，该基板依次层叠有处理对象层、中间层和掩模层，所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部，所述基板处理方法的特征在于：

具有以一个步骤进行开口宽度缩小步骤和蚀刻步骤的收缩蚀刻步骤，其中，所述开口宽度缩小步骤是，通过由各向异性蚀刻气体和氢气的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积到所述掩模层的所述开口部的侧壁面，所述蚀刻步骤是，对形成所述开口部的底部的所述中间层进行蚀刻。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述各向异性蚀刻气体含有溴（Br）或原子序数大于溴（Br）的卤素、碳和氟。

3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：

所述各向异性蚀刻气体为CF₃I气体或CF₃Br气体。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述收缩蚀刻步骤中的所述各向异性蚀刻气体与所述氢气的混合比为4︰1～2︰3。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述收缩蚀刻步骤中，向所述基板施加100W～500W的偏置电力。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述收缩蚀刻步骤中，将收容所述基板的腔室内压力调整为2.6Pa（20mTorr）～2×10Pa（150mTorr）。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

在所述收缩蚀刻步骤中，被蚀刻的所述中间层为层叠在所述掩模层的下方的反射防止膜和含硅膜、反射防止膜和金属膜或含硅有机膜。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

具有将所述中间层的开口部转印到所述处理对象层上的处理对象层蚀刻步骤，其中，所述中间层的开口部与通过所述收缩蚀刻步骤缩小所述开口宽度的所述掩模层的开口部对应。