[发明专利]一种配线结构

权利要求书

1.一种配线结构，适用于TFT-LCD阵列基板，该基板具有一像素区，该像素区由多条扫描线和多条数据信号线交叉限定；一配线区以及一端子区，其中该配线区和端子区位于该像素区外侧；一TFT阵列，形成在该基板上并配置在该像素区；其特征在于：所述的配线区包括由第一配线层形成的多个第一配线，以及由第二配线层形成的多个第二配线；所述的多个第一配线和多个第二配线交替配置，并在第一配线和第二配线之间设置屏蔽电极；多个第一配线和多个第二配线将所述的像素区的多个像素端子和所述的端子区域的多个信号端子相电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种配线结构，其特征在于：所述的屏蔽电极为透明的ITO电极。

3.根据权利要求1所述的一种配线结构，其特征在于：所述的第一配线层的多个第一配线与所述的TFT阵列的栅极为同一层并由同种金属形成。

4.根据权利要求1所述的一种配线结构，其特征在于：所述的第二配线层的多个第二配线与所述的TFT阵列的源漏极为同一层并由同种金属形成。

5.根据权利要求1所述的一种配线结构，其特征在于：所述的屏蔽电极在临所述的像素区侧短接在一起并连接至所述像素区的公共电极电压或GND电压。

6.根据权利要求1所述的一种配线结构，其特征在于：所述的TFT-LCD阵列基板为FFS结构或为ＴＮ结构。

7.根据权利要求6所述的一种配线结构，其特征在于：当所述的TFT-LCD阵列基板为FFS结构时，所述的多个屏蔽电极与所述的像素区的公共ITO电极为同一层并由同种金属形成。

8.根据权利要求6所述的一种配线结构，其特征在于：其特征在于：当所述的TFT-LCD阵列基板为TN结构时，所述的屏蔽电极与所述的像素区的像素ITO电极为同一层并由同种金属形成。