[发明专利]激光加工装置有效

专利信息
申请号: 201310240803.X 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN103506758A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 能丸圭司 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B23K26/362 分类号: B23K26/362;B23K26/067;B23K26/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 加工 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及激光加工装置,该激光加工装置适于沿着形成于半导体晶片等被加工物的表面的间隔道照射激光光线从而形成激光加工槽。

背景技术

在半导体器件制造过程中形成有半导体晶片,该半导体晶片借助层叠体在硅等半导体基板的表面呈矩阵状地形成有多个IC、LSI等器件,该层叠体由绝缘膜和功能膜层叠得到。这样形成的半导体晶片的所述器件被称为间隔道的分割预定线划分,通过沿所述间隔道进行分割来制造各器件。

通常,借助被称为切割器(Dicer)的切削装置来进行这样的半导体晶片的沿间隔道的分割。该切削装置具备:卡盘工作台,其用于保持作为被加工物的半导体晶片;切削构件,其用于切削保持在该卡盘工作台上的半导体晶片;以及移动构件,其使卡盘工作台和切削构件相对移动。切削构件包括高速旋转的旋转主轴和安装于该主轴的切削刀片。切削刀片由圆盘状的基座和安装于该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成,切削刃例如通过将粒径3μm左右的金刚石磨粒利用电铸固定而形成,其厚度例如形成为20~30μm。

最近,为了提高IC、LSI等器件的处理能力,实际应用有如下形态的半导体晶片:在硅等半导体基板的表面利用层叠体形成有半导体器件,所述层叠体由低电容率绝缘体覆膜(Low-k膜)和用于形成电路的功能膜层叠而成,所述低电容率绝缘体覆膜由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜、或为聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜的有机物类的膜构成。

此外,还实际应用有半导体晶片,其构成为:在半导体晶片的间隔道局部地配设有被称为测试元件组(TEG:Test Element Group)的金属图案,在分割半导体晶片前,通过金属图案来测试电路的功能。

由于上述Low-k膜或测试元件组(TEG)与晶片的材料不同,因此难以通过切削刀片同时切削。即,由于Low-k膜像云母一样非常脆,因此存在以下问题:在借助切削刀片沿间隔道切削时,Low-k膜剥离,该剥离到达器件,带给器件致命的损伤。此外,由于测试元件组(TEG)由金属形成,因此若通过切削刀片进行切削则会产生毛刺。

为了消除上述问题,提出有下述加工方法:通过沿半导体晶片的间隔道照射脉冲激光光线,来去除形成间隔道的Low-k膜或配设于间隔道的测试元件组(TEG),使切削刀片定位于该去除过的区域来进行切削(例如参照专利文献1)。

然而,在像所述专利文献1公开的加工方法那样,通过沿晶片的间隔道照射脉冲激光光线来去除Low-k膜或测试元件组(TEG)时,需要形成比切削刀片的厚度更宽的激光加工槽。因此,当激光光线的聚光光斑直径为10μm左右时,存在以下问题:沿间隔道照射激光光线的激光光线照射工序必须在宽度方向实施数次,生产效率较差。

为消除这样的问题,在下述专利文献2中记载有一种激光加工装置,其将激光光线分支成多条并形成多个聚光光斑(聚光点),能够通过同时形成较宽宽度的激光加工槽来高效地去除Low-k膜或测试元件组(TEG)。

专利文献1:日本特开2005-142398号公报。

专利文献2:日本特开2011-156551号公报。

然而,专利文献2中记载的技术存在以下问题:其难以调整分支成多条的激光光线的多个聚光光斑(聚光点)的间隔,无法使多个聚光光斑(聚光点)定位成与间隔道对应的宽度。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要技术课题在于提供一种激光加工装置,其能够容易地调整分支成多条的激光光线的多个聚光光斑(聚光点)的间隔。

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