[发明专利]W-Cu-SiC三元复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310241546.1 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103382534A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 张联盟;刘凰;沈强;罗国强;王传彬;李美娟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C27/04;C22C30/00;C22C32/00;C22C1/05;C22C1/10 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu sic 三元 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种W-Cu-SiC三元复合材料，其特征是其各组分含量按体积百分比计是：Cu/（W+SiC+Cu）=30～50%，SiC/（W+SiC）=20～80%，W/（W+SiC）=20～80%。
2.根据权利要求1所述的W-Cu-SiC三元复合材料，其特征是所述的Cu的纯度为99.9%，其粉末的粒径为1～10μm。
3.根据权利要求1所述的W-Cu-SiC三元复合材料，其特征是所述的W的纯度为99.9%，其粉末的粒径为10～20μm。
4.根据权利要求1所述的W-Cu-SiC三元复合材料，其特征是所述的SiC的纯度为99%，其粉末的粒径为10～30μm。
5.一种W-Cu-SiC三元复合材料的制备方法，其特征是将Cu粉、W粉、SiC粉按照体积分数Cu/（W+SiC+Cu）=30～50%，（W+SiC）/（W+Cu+SiC）=50～70%的配比进行球磨混合；然后放入真空热压炉中进行真空热压烧结，得到W-Cu-SiC三元热控复合材料；所述真空热压烧结工艺为：真空度为1×10-3～1×10-4Pa，烧结温度为900～1000°C，保温时间为1～3h，施加压力为50～150MPa。
6.根据权利要求5所述的W-Cu-SiC三元复合材料的制备方法，其特征是所述的Cu的纯度为99.9%，其粉末的粒径为1～10μm。
7.根据权利要求5所述的W-Cu-SiC三元复合材料的制备方法，其特征是所述的W的纯度为99.9%，其粉末的粒径为10～20μm。
8.根据权利要求5所述的W-Cu-SiC三元复合材料的制备方法，其特征是所述的SiC的纯度为99%，其粉末的粒径为10～30μm。
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