[发明专利]具有堆叠栅格结构的图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

金属栅格，形成在光电二极管阵列之上，所述金属栅格包括：

第一金属栅格部分，所述第一金属栅格部分包括被配置成将光导向第一光电二极管且使所述光偏离第二光电二极管的第一界面，

第二金属栅格部分，被配置成将所述光导向所述第一光电二极管的第二界面；以及

介电层在所述第一金属栅格部分和所述第二金属栅格部分之间延伸；

介电栅格，形成在所述金属栅格之上，所述介电栅格包括第一介电栅格部分，所述第一介电栅格部分被配置成将所述光导向所述第一光电二极管且使所述光偏离所述第二光电二极管

填充材料，形成在所述介电栅格上方，其中，所述填充材料的底面接近所述金属栅格的顶面并且所述填充材料包括颜色过滤材料。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述第二界面被配置成使所述光偏离第三光电二极管。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，所述第一介电栅格部分被配置成使所述光偏离第三光电二极管。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，包括：

填充材料，所述填充材料在所述介电栅格的所述第一介电栅格部分和第二介电栅格部分之间延伸。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，所述第一介电栅格部分具有第一折射率，所述第一折射率不同于与所述第一介电栅格部分相邻形成的填充材料的第二折射率。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，所述第二折射率大于所述第一折射率。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括缓冲层，所述缓冲层形成在所述金属栅格下方并与所述金属栅格物理接触。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，所述介电栅格包括被配置成将所述光导向所述第二光电二极管且使所述光偏离所述第一光电二极管的第二介电栅格部分。

9.一种图像传感器，包括：

光电二极管阵列，形成在衬底之上；

缓冲层，形成在所述光电二极管阵列之上；

金属层，形成在所述缓冲层之上，所述金属层包括被配置成将光导向所述光电二极管阵列中的第一光电二极管的金属栅格；

介电层，形成在所述金属层之上；

介电栅格，形成在所述介电层内并且形成在所述金属栅格之上，所述介电栅格被配置成将所述光导向所述光电二极管阵列中的所述第一光电二极管；以及

填充栅格，形成在所述金属栅格之上，其中，所述填充栅格与所述缓冲层不物理接触，所述填充栅格的底面接近所述金属栅格的顶面，并且所述填充栅格包括颜色过滤材料。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，包括：

缓冲层，与所述金属栅格接触。

11.根据权利要求9所述的图像传感器，包括：

抗反射涂层，形成在所述缓冲层和所述光电二极管阵列之间。

12.根据权利要求9所述的图像传感器，包括：

一个或多个透镜结构，位于所述填充栅格之上，第一透镜结构被配置成基于通过第一金属栅格部分和第一介电栅格部分引导将被所述第一光电二极管检测到的第一光而使所述第一光通过。

13.根据权利要求9所述的图像传感器，所述金属层包括金属结构，所述金属结构包括被配置成阻挡所述光进入到校准区域的界面。

14.根据权利要求12所述的图像传感器，所述介电栅格具有第一折射率，所述第一折射率不同于与所述填充栅格的第二折射率。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，所述第二折射率大于所述第一折射率。